Процесс роста монокристаллического кремния преимущественно происходит в тепловом поле, где качество тепловой среды существенно влияет на качество кристаллов и эффективность роста. Конструкция теплового поля играет решающую роль в формировании температурных градиентов и динамики газового потока внутр......
Читать далееКарбид кремния (SiC) — это материал, обладающий высокой энергией связи, подобный другим твердым материалам, таким как алмаз и кубический нитрид бора. Однако высокая энергия связи SiC затрудняет кристаллизацию непосредственно в слитки традиционными методами плавки. Поэтому процесс выращивания кристал......
Читать далееПроизводство карбида кремния включает в себя цепочку процессов, включающую создание подложек, эпитаксиальное выращивание, проектирование устройств, их производство, упаковку и тестирование. Как правило, карбид кремния создается в виде слитков, которые затем нарезаются, шлифуются и полируются для пол......
Читать далееПолупроводниковые материалы можно разделить на три поколения по временной последовательности. Первое поколение германия, кремния и других распространенных мономатериалов, характеризующееся удобным переключением, обычно используется в интегральных схемах. Второе поколение арсенида галлия, фосфида инд......
Читать далееКарбид кремния (SiC) имеет важное применение в таких областях, как силовая электроника, высокочастотные радиочастотные устройства и датчики для сред, устойчивых к высоким температурам, благодаря своим превосходным физико-химическим свойствам. Однако операция нарезки во время обработки пластин SiC пр......
Читать далее