> Новости

Новости

Толстый карбид кремния высокой чистоты, полученный методом CVD: анализ процесса выращивания материалов

Толстые слои карбида кремния (SiC) высокой чистоты, обычно превышающие 1 мм, являются критически важными компонентами в различных дорогостоящих приложениях, включая производство полупроводников и аэрокосмические технологии. В этой статье подробно рассматривается процесс химического осаждения из паро......

Монокристаллический кремний против поликристаллического кремния

Монокристаллический кремний и поликристаллический кремний имеют свои уникальные преимущества и сценарии применения. Монокристаллический кремний подходит для высокопроизводительных электронных изделий и микроэлектроники благодаря своим превосходным электрическим и механическим свойствам. Поликристалл......

Подложка и эпитаксия

В процессе изготовления пластин имеются два основных звена: одно — подготовка подложки, другое — осуществление эпитаксиального процесса. Подложка, пластина, тщательно изготовленная из полупроводникового монокристаллического материала, может быть непосредственно использована в процессе производства п......

Понимание химического осаждения из паровой фазы (CVD): комплексный обзор

Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) — это универсальный метод осаждения тонких пленок, широко используемый в полупроводниковой промышленности для изготовления высококачественных конформных тонких пленок на различных подложках. Этот процесс включает химические реакции газообразных предшественн......

Кремниевая пластина

Кремниевый материал представляет собой твердый материал с определенными полупроводниковыми электрическими свойствами и физической стабильностью, который обеспечивает поддержку подложки для последующего процесса производства интегральных схем. Это ключевой материал для кремниевых интегральных схем. Б......

SiC-лодочки против кварцевых: текущее использование и будущие тенденции в производстве полупроводников

В этой статье мы углубимся в использование и будущую траекторию развития «лодочек» из карбида кремния (SiC) по отношению к кварцевым «лодочкам» в полупроводниковой промышленности, уделяя особое внимание их применению в производстве солнечных батарей.

<...15 16 17 18 19...37 >