> Новости

Новости

Плазменные процессы при операциях CVD

Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) относится к технологии процесса, при которой несколько газообразных реагентов при различных парциальных давлениях вступают в химическую реакцию при определенных условиях температуры и давления. Полученное твердое вещество осаждается на поверхности материала......

Рост и перспективы рынка силовых устройств из карбида кремния (SiC)

Поскольку глобальное признание электромобилей постепенно растет, карбид кремния (SiC) столкнется с новыми возможностями роста в предстоящем десятилетии. Ожидается, что производители силовых полупроводников и операторы автомобильной промышленности будут более активно участвовать в построении цепочки ......

Кремниевые эпитаксиальные слои и подложки в производстве полупроводников

В современной электронике, оптоэлектронике, микроэлектронике и информационных технологиях незаменимы полупроводниковые подложки и эпитаксиальные технологии. Они обеспечивают прочную основу для производства высокопроизводительных и надежных полупроводниковых приборов. По мере развития технологий полу......

Преимущества SiC в индустрии электромобилей

Поскольку SiC является полупроводниковым материалом с широкой запрещенной зоной (WBG), более широкая разница энергий придает ему более высокие тепловые и электронные свойства по сравнению с традиционным Si. Эта функция позволяет силовым устройствам работать при более высоких температурах, частотах и......

Допинг-контроль при сублимационном выращивании SiC

Карбид кремния (SiC) играет важную роль в производстве силовой электроники и высокочастотных устройств благодаря своим превосходным электрическим и термическим свойствам. Качество и уровень легирования кристаллов SiC напрямую влияют на производительность устройства, поэтому точный контроль легирован......

Значение пористых графитовых материалов для роста кристаллов SiC

Компонент печи для выращивания кристаллов SiC компании Semicorex, корпус из пористого графита, принесет три основных преимущества и может эффективно повысить конкурентоспособность отечественных подложек SiC:

<...15 16 17 18 19...30 >