> Новости

Новости

Основные этапы обработки подложки SiC

Обработка подложки 4H-SiC в основном включает в себя следующие этапы:

Ключевые параметры подложек карбида кремния (SiC)

Процесс производства карбида кремния (SiC) включает в себя подготовку подложки и эпитаксию со стороны материалов, за которыми следуют проектирование и производство чипов, упаковка устройств и, наконец, распространение на последующих рынках приложений. Среди этих этапов обработка материала подложки я......

Печь для выращивания кристаллов карбида кремния (SiC)

Выращивание кристаллов является основным звеном в производстве подложек из карбида кремния, а основным оборудованием является печь для выращивания кристаллов. Подобно традиционным печам для выращивания кристаллов кристаллического кремния, конструкция печи не очень сложна и в основном состоит из корп......

Проблемы применения и разработки графитовых компонентов с покрытием TaC

Полупроводниковые материалы третьего поколения с широкой запрещенной зоной, такие как нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), известны своими исключительными возможностями оптоэлектронного преобразования и передачи микроволновых сигналов. Эти материалы отвечают строгим требованиям высокочастотны......

Применение карбида кремния

Карбид кремния находит широкое применение в развивающихся и традиционных отраслях. В настоящее время мировой рынок полупроводников превысил 100 миллиардов юаней. Ожидается, что к 2025 году мировые продажи материалов для производства полупроводников достигнут 39,5 миллиардов долларов США, из которых ......

Что такое лодка из карбида кремния и каковы различные процессы ее производства?

Лодочка из карбида кремния (сокращение от «лодочка из карбида кремния») представляет собой устойчивый к высоким температурам аксессуар, используемый в трубах печей для транспортировки пластин во время высокотемпературной обработки. Благодаря выдающимся свойствам карбида кремния, таким как стойкость ......

<...13 14 15 16 17...30 >