> Новости

Новости

Введение в силовые устройства из карбида кремния

Силовые устройства из карбида кремния (SiC) представляют собой полупроводниковые устройства, изготовленные из карбидокремниевых материалов, которые в основном используются в высокочастотных, высокотемпературных, высоковольтных и мощных электронных устройствах. По сравнению с традиционными силовыми у......

Технология эпитаксии пластин карбида кремния

В карбиде кремния обычно используется метод PVT с температурой более 2000 градусов, длительным циклом обработки и низкой производительностью, поэтому стоимость подложек из карбида кремния очень высока.

Краткая история карбида кремния и применение покрытий из карбида кремния

История карбида кремния (SiC) берет свое начало в 1891 году, когда Эдвард Гудрич Ачесон случайно обнаружил его при попытке синтезировать искусственные алмазы. Ачесон нагрел смесь глины (алюмосиликата) и порошкообразного кокса (углерода) в электрической печи. Вместо ожидаемых алмазов он получил ярко-......

Трудности получения GaN

Нитрид галлия как полупроводниковый материал третьего поколения часто сравнивают с карбидом кремния. Нитрид галлия по-прежнему демонстрирует свое превосходство благодаря большой запрещенной зоне, высокому напряжению пробоя, высокой теплопроводности, высокой скорости дрейфа насыщенных электронов и си......

Введение в полупроводники третьего поколения: GaN и связанные с ним эпитаксиальные технологии

Материалы GaN приобрели известность после присуждения Нобелевской премии по физике 2014 года за синие светодиоды. Первоначально привлекая внимание общественности благодаря приложениям быстрой зарядки в бытовой электронике, усилители мощности на основе GaN и радиочастотные устройства постепенно стали......

Подложка против эпитаксии: ключевые роли в производстве полупроводников

В области полупроводниковой техники и микроэлектроники концепции подложек и эпитаксии имеют важное значение. Они играют решающую роль в процессе производства полупроводниковых приборов. В этой статье будут рассмотрены различия между полупроводниковыми подложками и эпитаксией, описаны их определения......

<...12 13 14 15 16...30 >