> Новости

Новости

SiC-керамика: незаменимый материал для высокоточных компонентов в производстве полупроводников

Производство полупроводников, краеугольный камень современного технологического прогресса, находится в постоянном поиске меньших по размеру, более быстрых и эффективных интегральных схем. Это неустанное стремление порождает необходимость во все более точных и сложных производственных процессах, где ......

Керамика из карбида кремния и разнообразные процессы ее изготовления

В этой статье представлен всесторонний обзор различных производственных технологий, используемых для производства плотной SiC-керамики, подчеркиваются их уникальные характеристики и области применения.

Что такое степень графитации?

Степень графитизации является важным показателем, используемым для оценки того, насколько близко атомы углерода образуют плотноупакованную гексагональную кристаллическую структуру графита.

Демистификация технологии электростатического патрона (ESC) при работе с пластинами

Электростатические патроны (ESC) стали незаменимыми в производстве полупроводников и плоских дисплеев, предлагая безвредный и легко контролируемый метод удержания и позиционирования деликатных пластин и подложек на критических этапах обработки. Эта статья углубляется в тонкости технологии ESC, иссле......

Процесс роста тонкой пленки

Обычные тонкие пленки в основном делятся на три категории: тонкие полупроводниковые пленки, тонкие диэлектрические пленки и тонкие пленки из соединений металла и металла.

Гетероэпитаксия 3C-SiC: обзор

Развитие 3C-SiC, важного политипа карбида кремния, отражает постоянное развитие науки о полупроводниковых материалах. В 1980-х годах Нишино и др. впервые получила пленку 3C-SiC толщиной 4 мкм на кремниевой подложке с помощью химического осаждения из паровой фазы (CVD) [1], заложив основу для техноло......

<...14 15 16 17 18...37 >