- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Новости
Введение в процесс ионной имплантации и отжига карбида кремния
В традиционном производстве кремниевых силовых устройств высокотемпературная диффузия и ионная имплантация являются основными методами контроля примесей, каждый из которых имеет свои преимущества и недостатки. Как правило, высокотемпературная диффузия характеризуется простотой, экономичностью, изотр......
Читать далее
Эпитаксиальные слои: основа современных полупроводниковых устройств
В полупроводниковой промышленности эпитаксиальные слои играют решающую роль, образуя особые монокристаллические тонкие пленки на подложке пластины, известные под общим названием эпитаксиальные пластины. В частности, эпитаксиальные слои карбида кремния (SiC), выращенные на проводящих подложках SiC, п......
Читать далее
Пористый графит для выращивания кристаллов SiC
В настоящее время большинство производителей подложек SiC используют новую технологию термического поля тигля с цилиндрами из пористого графита: размещение исходных материалов из частиц SiC высокой чистоты между стенкой графитового тигля и цилиндром из пористого графита при одновременном углублении ......
Читать далее
Решающая роль эпитаксиальных слоев в полупроводниковых устройствах
Эпитаксиальный рост — это процесс выращивания кристаллографически упорядоченного монокристаллического слоя на подложке. Вообще говоря, эпитаксиальный рост предполагает выращивание кристаллического слоя на монокристаллической подложке, причем выращенный слой имеет ту же кристаллографическую ориентаци......
Читать далее
