> Новости

Новости

Зная MOCVD

MOCVD — это новая технология эпитаксиального роста из паровой фазы, разработанная на основе эпитаксиального роста из паровой фазы (VPE).

Применение графитовых компонентов с покрытием TaC

В процессе выращивания монокристаллов SiC и AlN методом физического переноса пара (PVT) жизненно важную роль играют такие компоненты, как тигель, держатель затравочного кристалла и направляющее кольцо. В процессе приготовления SiC затравочный кристалл находится в области относительно низких температ......

Процесс резки и шлифования подложки

Материал подложки SiC является основой чипа SiC. Процесс производства подложки заключается в следующем: после получения слитка кристалла SiC путем выращивания монокристалла; затем подготовка подложки SiC требует сглаживания, закругления, резки, шлифовки (утонения); механическая полировка, химико-мех......

Первая компания по производству 6-дюймовых подложек из оксида галлия.

Недавно наша компания объявила, что компания успешно разработала 6-дюймовый монокристалл оксида галлия методом литья, став первой отечественной промышленной компанией, освоившей технологию подготовки подложки из 6-дюймового монокристалла оксида галлия.

Различия между кристаллами SiC разной структуры

Карбид кремния (SiC) — это материал, обладающий исключительной термической, физической и химической стабильностью, демонстрирующий свойства, превосходящие свойства обычных материалов. Его теплопроводность составляет удивительные 84 Вт/(м·К), что не только выше, чем у меди, но и в три раза выше, чем ......

Что такое покрытие TaC на графите?

В быстро развивающейся области производства полупроводников даже самые незначительные улучшения могут иметь большое значение для достижения оптимальной производительности, долговечности и эффективности. Одним из достижений, которое вызвало много шума в отрасли, является использование покрытия TaC (к......

<...16 17 18 19 20...30 >