Травление является важным процессом в производстве полупроводников. Этот процесс можно разделить на два типа: сухое травление и влажное травление. Каждый метод имеет свои преимущества и ограничения, поэтому крайне важно понимать различия между ними. Итак, как выбрать лучший метод травления? Каковы п......
Читать далееНынешние полупроводники третьего поколения в основном основаны на карбиде кремния, при этом на подложки приходится 47% стоимости устройств, а на эпитаксию приходится 23%, что в сумме составляет около 70% и составляет наиболее важную часть индустрии производства устройств SiC.
Читать далееОжидается, что полупроводники с широкой запрещенной зоной (WBG), такие как карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN), будут играть все более важную роль в силовых электронных устройствах. Они обладают рядом преимуществ по сравнению с традиционными кремниевыми (Si) устройствами, включая более высоку......
Читать далее