Кремниевый материал представляет собой твердый материал с определенными полупроводниковыми электрическими свойствами и физической стабильностью, который обеспечивает поддержку подложки для последующего процесса производства интегральных схем. Это ключевой материал для кремниевых интегральных схем. Б......
Читать далееВ этой статье мы углубимся в использование и будущую траекторию развития «лодочек» из карбида кремния (SiC) по отношению к кварцевым «лодочкам» в полупроводниковой промышленности, уделяя особое внимание их применению в производстве солнечных батарей.
Читать далееЭпитаксиальный рост пластин нитрида галлия (GaN) представляет собой сложный процесс, часто использующий двухэтапный метод. Этот метод включает в себя несколько важных стадий, включая высокотемпературный обжиг, рост буферного слоя, рекристаллизацию и отжиг. Благодаря тщательному контролю температуры ......
Читать далееКак эпитаксиальные, так и диффузные пластины являются важными материалами в производстве полупроводников, но они существенно различаются по процессам изготовления и целевому применению. В этой статье рассматриваются ключевые различия между этими типами пластин.
Читать далееПодложка из карбида кремния представляет собой сложный полупроводниковый монокристаллический материал, состоящий из двух элементов: углерода и кремния. Он обладает характеристиками большой запрещенной зоны, высокой теплопроводности, высокой критической напряженности поля пробоя и высокой скорости др......
Читать далее