- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Новости
Гетероэпитаксия 3C-SiC: обзор
Развитие 3C-SiC, важного политипа карбида кремния, отражает постоянное развитие науки о полупроводниковых материалах. В 1980-х годах Нишино и др. впервые получила пленку 3C-SiC толщиной 4 мкм на кремниевой подложке с помощью химического осаждения из паровой фазы (CVD) [1], заложив основу для техноло......
Читать далее
Толстый карбид кремния высокой чистоты, полученный методом CVD: анализ процесса выращивания материалов
Толстые слои карбида кремния (SiC) высокой чистоты, обычно превышающие 1 мм, являются критически важными компонентами в различных дорогостоящих приложениях, включая производство полупроводников и аэрокосмические технологии. В этой статье подробно рассматривается процесс химического осаждения из паро......
Читать далее
Монокристаллический кремний против поликристаллического кремния
Монокристаллический кремний и поликристаллический кремний имеют свои уникальные преимущества и сценарии применения. Монокристаллический кремний подходит для высокопроизводительных электронных изделий и микроэлектроники благодаря своим превосходным электрическим и механическим свойствам. Поликристалл......
Читать далее
Подложка и эпитаксия
В процессе изготовления пластин имеются два основных звена: одно — подготовка подложки, другое — осуществление эпитаксиального процесса. Подложка, пластина, тщательно изготовленная из полупроводникового монокристаллического материала, может быть непосредственно использована в процессе производства п......
Читать далее
Понимание химического осаждения из паровой фазы (CVD): комплексный обзор
Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) — это универсальный метод осаждения тонких пленок, широко используемый в полупроводниковой промышленности для изготовления высококачественных конформных тонких пленок на различных подложках. Этот процесс включает химические реакции газообразных предшественн......
Читать далее
