Новости

Гомоэпитаксии и гетероэпитаксии: простое объяснение

Гомоэпитаксии и гетероэпитаксии играют ключевую роль в материаловедении. Гомоэпитаксия предполагает выращивание кристаллического слоя на подложке из того же материала, обеспечивая минимальные дефекты за счет идеального согласования решеток. Напротив, гетероэпитаксии выращивает кристаллический слой н......

Что такое низкотемпературное плазменное травление?

Плазма — четвертое состояние материи, играющее решающую роль как в промышленности, так и в природных явлениях.

Структура электростатического патрона (ESC)

Электростатический патрон (ESC) — это устройство, используемое для удержания полупроводниковых пластин на месте во время таких процессов, как травление, осаждение или полировка.

Wolfspeed приостанавливает планы строительства немецкого завода по производству полупроводников

По сообщениям немецких СМИ, американский производитель чипов Wolfspeed приостанавливает свои планы по строительству завода по производству полупроводников в Германии.

Как производят карбид кремния?

Окончательная полировка поверхности кремниевой пластины.

Чтобы достичь высокого качества процессов изготовления схем микросхем с шириной линии от 0,13 мкм до 28 нм для полировки кремниевых пластин диаметром 300 мм, важно свести к минимуму загрязнение поверхности пластины примесями, такими как ионы металлов.