Третье поколение широкозонных полупроводниковых материалов, включая нитрид галлия (GaN), карбид кремния (SiC) и нитрид алюминия (AlN), демонстрирует превосходные электрические, термические и акустооптические свойства. Эти материалы устраняют ограничения первого и второго поколений полупроводниковых ......
Читать далее