> Новости

Новости

Ход исследований покрытий TaC на поверхностях углеродных материалов

Материалы на основе углерода, такие как графит, углеродные волокна и композиты углерод/углерод (C/C), известны своей высокой удельной прочностью, высоким удельным модулем и превосходными термическими свойствами, что делает их пригодными для широкого спектра высокотемпературных применений. . Эти мате......

Какие применения подложки из нитрида галлия (GaN)?

Нитрид галлия (GaN) — важный материал в полупроводниковой технике, известный своими исключительными электронными и оптическими свойствами. GaN, как широкозонный полупроводник, имеет энергию запрещенной зоны примерно 3,4 эВ, что делает его идеальным для мощных и высокочастотных приложений.

Обзор 9 методов спекания карбидокремниевой керамики

Карбид кремния (SiC), известная конструкционная керамика, известна своими исключительными свойствами, включая жаропрочность, твердость, модуль упругости, износостойкость, теплопроводность и коррозионную стойкость. Эти свойства делают его пригодным для широкого спектра применений: от традиционного пр......

Технические проблемы в печах для выращивания кристаллов карбида кремния

Печи для выращивания кристаллов карбида кремния (SiC) являются краеугольным камнем производства пластин SiC. Имея сходство с традиционными печами для выращивания кристаллов кремния, печи SiC сталкиваются с уникальными проблемами из-за экстремальных условий выращивания материала и сложных механизмов ......

Технология очистки графита в полупроводнике SiC

Графит жизненно важен для производства полупроводников из карбида кремния (SiC), известных своими исключительными тепловыми и электрическими свойствами. Это делает SiC идеальным для мощных, высокотемпературных и высокочастотных приложений. В производстве полупроводников SiC графит обычно используетс......

Метод роста кристаллов GaN

При производстве монокристаллических подложек GaN больших размеров HVPE в настоящее время является лучшим выбором для коммерциализации. Однако концентрацию обратных носителей выращенного GaN невозможно точно контролировать.

<...5 6 7 8 9...30 >