Плоская мишень из монокристаллического кремния

Планарная мишень из монокристаллического кремния от Semicorex является важнейшим компонентом в современной индустрии производства полупроводников. Изготовленный из высококачественного монокристаллического кремния, он имеет высокоупорядоченную кристаллическую структуру и исключительную чистоту. Эти свойства делают его идеальным решением для производства надежных, высокоэффективных полупроводниковых и оптических пленок.

Отправить запрос

Описание продукта

Монокристаллический кремнийплоскую мишень обычно обрабатывают на высокоточном режущем оборудовании из слитков монокристаллического кремния, изготовленных методом Чохральского. Чтобы удовлетворить разнообразные потребности клиентов, плоская мишень из монокристаллического кремния может быть разрезана на желаемые формы для ваших уважаемых клиентов. Точная технология шлифования и полировки обеспечивает превосходную плоскостность поверхности целевого материала, обеспечивая надежную гарантию нанесения тонких пленок.

Плоская мишень из монокристаллического кремния помещается внутрь вакуумной реакционной камеры вместе с подложкой, на которую будет нанесено покрытие в процессе осаждения пленки. Когда плоская мишень из монокристаллического кремния бомбардируется ионами высокой энергии, атомы кремния на ее поверхности распыляются. Эти распыленные атомы кремния затем мигрируют и осаждаются на поверхность подложки, в конечном итоге образуя тонкую пленку кремния.

Планарная мишень из монокристаллического кремния служит источником материала для осаждения тонких пленок. Все атомы кремния, осажденные на поверхность пластины, происходят из плоских мишеней монокристаллического кремния. Таким образом, качество плоской мишени из монокристаллического кремния напрямую определяет чистоту, однородность и другие ключевые свойства осажденной тонкой пленки.

Превосходные характеристики чистоты наделяют плоскую мишень из монокристаллического кремния способностью предотвращать загрязнение тонкой пленки примесями. Это значительно улучшает электрические характеристики полупроводниковых приборов. Улучшение однородности и адгезии тонких пленок обусловлено их высокоупорядоченной кристаллической структурой, которая позволяет распыляемым частицам более регулярно мигрировать и осаждаться на поверхности пластины. Конструкция плоской структуры подходит для требований высокоскоростного распыления большой площади и применима к крупномасштабным производственным сценариям, таким как полупроводниковые пластины и панели дисплеев.