Керамический вафельный носитель

Компания Semicorex предлагает керамику полупроводникового класса для OEM-инструментов для изготовления полупроводников и компонентов для обработки пластин, уделяя особое внимание слоям карбида кремния в полупроводниковой промышленности. Мы уже много лет являемся производителем и поставщиком керамических вафельных носителей. Наша продукция имеет хорошее ценовое преимущество и охватывает большую часть рынков Европы и Америки. Мы с нетерпением ждем возможности стать вашим долгосрочным партнером в Китае.

Отправить запрос

Описание продукта

Керамический держатель пластин из карбида кремния обладает хорошей устойчивостью к коррозии и отличной устойчивостью к высоким температурам и тепловому удару. Кроме того, высокий модуль упругости обеспечивает превосходную стабильность размеров. Кроме того, керамический материал имеет нулевую пористость и низкую плотность пор.
Мы можем обрабатывать все виды керамических подложек в соответствии с требованиями клиентов.

Параметры керамического носителя для пластин

Технические свойства
Индекс	Единица	Ценить
Название материала		Реакционно-спеченный карбид кремния	Спеченный карбид кремния без давления	Рекристаллизованный карбид кремния
Состав		РБСиК	ССиК	R-SiC
Объемная плотность	г/см3	3	3,15 ± 0,03	2,60-2,70
изгибная прочность	МПа (кпси)	338(49)	380(55)	80-90 (20°С) 90-100(1400°С)
Прочность на сжатие	МПа (кпси)	1120(158)	3970(560)	> 600
Твердость	Кнопка	2700	2800	/
Разрушение упорства	МПа м1/2	4.5	4	/
Теплопроводность	Вт/м.к	95	120	23
Коэффициент теплового расширения	10^-6.1/°С	5	4	4.7
Удельная теплоемкость	Джоуль/г 0к	0.8	0.67	/
Максимальная температура воздуха	℃	1200	1500	1600
Модуль упругости	средний балл	360	410	240

Компания Semicorex производит керамические пластины-носители в трех формах: карбид кремния, спеченный реакцией (RBSiC), карбид кремния, спеченный без давления (SSiC) и рекристаллический карбид кремния (R-SiC).

Разница между SSiC и RBSiC:

1. Процесс спекания отличается. RBSiC предназначен для внедрения свободного Si в карбид кремния при низкой температуре, SSiC образуется за счет естественной усадки при 2100 градусах.

2. SSiC имеет более гладкую поверхность, более высокую плотность и более высокую прочность. Для некоторых уплотнений с более строгими требованиями к поверхности SSiC будет лучше.

3. Разное время использования при разном pH и температуре, SSiC длиннее, чем RBSiC.

Особенности керамического вафельного носителя

Графит высокой чистоты с покрытием SiC
Превосходная термостойкость и термическая однородность
Мелкое кристаллическое покрытие SiC для гладкой поверхности
Высокая стойкость к химической чистке.
Материал спроектирован таким образом, чтобы не возникало трещин и расслоений.

Доступные формы керамики из карбида кремния:

● Керамический стержень/керамический штифт/керамический поршень.

● Керамическая трубка/керамическая втулка/керамическая втулка

● Керамическое кольцо/керамическая шайба/керамическая прокладка

● Керамический диск

● Керамическая пластина/керамический блок.

● Керамический шар.

● Керамический поршень

● Керамическая насадка.

● Керамический тигель

● Другие нестандартные керамические детали.