Вафельный носитель

· Отличная теплопроводность: способствует эффективной теплопередаче, что важно в процессах эпитаксиального выращивания полупроводников.

· Устойчивость к высоким температурам: покрытие SiC выдерживает экстремально высокие температуры, гарантируя, что носитель сохраняет свои характеристики на протяжении всего термоциклирования в реакторе.

· Устойчивость к химической коррозии: покрытие SiC значительно повышает стойкость носителя к окислению и коррозии, вызываемой химически активными газами, часто встречающимися во время эпитаксии.

· Стабильность размеров: сочетание SiC и графита гарантирует, что держатель сохраняет свою форму и точность с течением времени, сводя к минимуму риск деформации во время длительных технологических циклов.

Применение в выращивании эпитаксии полупроводников

Эпитаксия — это процесс, при котором тонкий слой полупроводникового материала наносится на подложку, обычно пластину, для формирования структуры кристаллической решетки. Во время этого процесса точность обращения с пластинами имеет решающее значение, поскольку даже незначительные отклонения в расположении пластин могут привести к дефектам или изменениям в структуре слоев.

Держатель пластин играет ключевую роль в обеспечении надежного удержания и правильного расположения полупроводниковых пластин во время этого процесса. Комбинация графита с покрытием SiC обеспечивает необходимые эксплуатационные характеристики для эпитаксии карбида кремния (SiC) — процесса, который включает выращивание кристаллов SiC высокой чистоты для использования в силовой электронике, оптоэлектронике и других передовых полупроводниковых приложениях.

В частности, вафельный носитель:

· Обеспечивает точное выравнивание пластин: обеспечение равномерности роста эпитаксиального слоя по всей пластине, что имеет решающее значение для производительности и производительности устройства.

· Выдерживает термические циклы: графит с покрытием SiC остается стабильным и надежным даже в условиях высоких температур до 2000°C, обеспечивая стабильное обращение с пластинами на протяжении всего процесса.

· Минимизирует загрязнение пластин: состав материала носителя высокой чистоты гарантирует, что пластина не подвергается воздействию нежелательных загрязнений во время процесса эпитаксиального роста.

В реакторах полупроводниковой эпитаксии держатель пластины размещается внутри камеры реактора, где он действует как опорная платформа для пластины. Носитель позволяет подвергать пластину воздействию высоких температур и химически активных газов, используемых в процессе эпитаксиального роста, без ущерба для целостности пластины. Покрытие SiC предотвращает химическое взаимодействие с газами, обеспечивая рост качественного бездефектного материала.

Преимущества графитового носителя с покрытием SiC

1. Повышенная долговечность. Покрытие SiC повышает износостойкость графитового материала, снижая риск разрушения при многократном использовании.

2. Высокотемпературная стабильность. Держатель пластины может выдерживать экстремальные температуры, характерные для печей эпитаксиального выращивания, сохраняя свою структурную целостность без деформации и растрескивания.

3. Повышение производительности и эффективности процесса. Обеспечивая надежную и последовательную обработку пластин, графитовый носитель пластин с покрытием SiC помогает повысить общий выход и эффективность процесса эпитаксиального выращивания.

4. Возможности индивидуальной настройки. Носитель можно настроить по размеру и конфигурации в соответствии с конкретными потребностями различных эпитаксиальных реакторов, обеспечивая гибкость для широкого спектра полупроводниковых применений.

СемикорексГрафит с покрытием SiCWafer Carrier — важнейший компонент в полупроводниковой промышленности, обеспечивающий оптимальное решение для работы с пластинами в процессе эпитаксиального выращивания. Благодаря сочетанию термостабильности, химической стойкости и механической прочности он обеспечивает точную и надежную работу с полупроводниковыми пластинами, что приводит к получению более качественных результатов и увеличению выхода в процессах эпитаксии. Будь то эпитаксия карбида кремния или другие сложные полупроводниковые технологии, этот держатель пластин обеспечивает долговечность и производительность, необходимые для соответствия строгим стандартам современного производства полупроводников.