Карбид кремния для эпитаксии кремния

Корпус Semicorex SiC для кремниевой эпитаксии изготовлен из графитового материала, покрытого карбидом кремния (SiC). Эта уникальная конструкция обеспечивает превосходную устойчивость к тепловым ударам и химическому разложению, продлевая срок службы токоприемника и сохраняя надежность процесса.

Усовершенствованное покрытие SiC на корпусе SiC для кремниевой эпитаксии обеспечивает превосходную теплопроводность и распределение тепла, способствуя равномерному профилю температуры по всему токоприемнику. Это улучшает контроль процесса, сводит к минимуму температурные градиенты и обеспечивает постоянный рост эпитаксиального слоя, в результате чего получаются высококачественные кремниевые пленки с исключительной однородностью и чистотой.

Наш корпус из карбида кремния для кремниевой эпитаксии может быть изготовлен по индивидуальному заказу в соответствии с конкретными требованиями и предпочтениями. От регулировки размера до изменения толщины покрытия — мы предлагаем гибкость в проектировании, позволяющую адаптировать различные параметры процесса и оптимизировать производительность для конкретных применений.

Наш корпус из карбида кремния для кремниевой эпитаксии обеспечивает надежность и долговечность, сокращая время простоя и затраты на техническое обслуживание, связанные с частыми заменами. Его прочная конструкция и исключительные характеристики способствуют повышению эффективности технологического процесса, что в конечном итоге повышает производительность и экономическую эффективность операций по производству полупроводников.