Приемник пластин

Вафельный токоприемник Semicorex изготовлен из графита и покрыт карбидом кремния (SiC) с учетом жестких условий современного производства полупроводников.

В процессах эпитаксии абсолютно необходимо поддерживать стабильную и контролируемую среду. Wafer Susceptor служит базовой платформой, на которую помещаются пластины во время осаждения, отвечая строгим требованиям к однородности температуры, химической инертности и механической прочности для получения высококачественных эпитаксиальных слоев.

Выбор графита в качестве основного материала для пластинчатого токоприемника обусловлен его превосходной теплопроводностью и механическими свойствами. Способность графита выдерживать высокие температуры, сохраняя при этом структурную целостность, имеет решающее значение в высокотемпературных средах эпитаксионных реакторов. Кроме того, теплопроводность графита обеспечивает эффективное распределение тепла по пластине, снижая риск температурных градиентов, которые могут привести к дефектам эпитаксиального слоя.

Для повышения производительности полупроводникового токоприемника на графитовую основу умело наносится покрытие из карбида кремния (SiC). Карбид кремния — это очень прочный материал с превосходной химической стойкостью, что делает его идеальным для использования в полупроводниковой среде, где часто присутствуют химически активные газы. Покрытие SiC обеспечивает защитный барьер, который защищает графит от потенциальных химических реакций, обеспечивая долговечность токоприемника и поддерживая чистую среду внутри реактора.

Датчик Semicorex Wafer Susceptor, изготовленный из графита с покрытием SiC, является незаменимым компонентом в процессах эпитаксии полупроводников. Сочетание термических и механических свойств графита с химической и термической стабильностью карбида кремния делает его идеальным для удовлетворения строгих требований современного производства полупроводников. Конструкция с одной пластиной обеспечивает точный контроль над процессом эпитаксии, способствуя производству высококачественных полупроводниковых устройств. Этот токоприемник гарантирует, что с пластинами обращаются с максимальной осторожностью и точностью, что приводит к получению превосходных эпитаксиальных слоев и более эффективных полупроводниковых продуктов.