Как профессиональный производитель, мы хотели бы предоставить вам эпитаксию SiC. И мы предложим вам лучшее послепродажное обслуживание и своевременную доставку. Компания Semicorex поставляет графитовые токоприемники с CVD-покрытием из карбида кремния, используемые для поддержки пластин. Их конструкция из графита с покрытием из карбида кремния высокой чистоты (SiC) обеспечивает превосходную термостойкость, равномерную термическую однородность для обеспечения постоянной толщины и стойкости эпи-слоя, а также длительную химическую стойкость. Мелкое кристаллическое покрытие SiC обеспечивает чистую и гладкую поверхность, что очень важно для удобства обращения, поскольку чистые пластины контактируют с токоприемником во многих точках по всей своей площади.
Semicorex Epi-SiC Susceptor — компонент, разработанный с тщательным вниманием к деталям, незаменимый для передового производства полупроводников, особенно в эпитаксиальных приложениях. Конструкция Epi-SiC Susceptor, воплощающая точность и инновации, поддерживает эпитаксиальное осаждение полупроводниковых материалов на пластины, обеспечивая исключительную эффективность и надежность работы. Приверженность Semicorex обеспечению лидирующего на рынке качества в сочетании с конкурентоспособными финансовыми соображениями укрепляет наше стремление к установлению партнерских отношений для выполнения ваших требований по транспортировке полупроводниковых пластин.
Читать далееОтправить запросДиск Semicorex Susceptor Disc является незаменимым инструментом при химическом осаждении металлов и органических соединений из паровой фазы (MOCVD), специально разработанным для поддержки и нагрева полупроводниковых пластин во время критического процесса осаждения эпитаксиального слоя. Susceptor Disc играет важную роль в производстве полупроводниковых устройств, где точность выращивания слоев имеет первостепенное значение. Приверженность Semicorex обеспечению лидирующего на рынке качества в сочетании с конкурентоспособными финансовыми соображениями укрепляет наше стремление к установлению партнерских отношений для выполнения ваших требований по транспортировке полупроводниковых пластин.
Читать далееОтправить запросИзготовленный с высокой точностью и надежный, SiC Epitaxy Susceptor обладает высокой коррозионной стойкостью, высокой теплопроводностью, устойчивостью к тепловому удару и высокой химической стабильностью, что позволяет ему эффективно функционировать в эпитаксиальной атмосфере. Таким образом, SiC Epitaxy Susceptor считается основой и Важнейший компонент оборудования MOCVD. Semicorex стремится предоставлять качественную продукцию по конкурентоспособным ценам, и мы надеемся стать вашим долгосрочным партнером в Китае.
Читать далееОтправить запросЗапасные части Semicorex для эпитаксиального выращивания являются важнейшими компонентами, используемыми в системах эпитаксиального выращивания, особенно в процессах, включающих установки с кварцевыми трубками. Эти детали играют жизненно важную роль в обеспечении потока газа, приводящего в движение основание лотка, и обеспечивают точный контроль температуры на протяжении всего процесса эпитаксиального роста. Semicorex стремится предоставлять качественную продукцию по конкурентоспособным ценам, и мы надеемся стать вашим долгосрочным партнером в Китае.
Читать далееОтправить запросSemicorex Susceptor Semiconductor — революционный графитовый токоприемник, тщательно созданный для того, чтобы поднять производство полупроводников на новую высоту. Созданный с точностью и инновациями, этот токоприемник имеет CVD-покрытие SiC, которое выделяет его среди других. Semicorex стремится предоставлять качественную продукцию по конкурентоспособным ценам, и мы надеемся стать вашим долгосрочным партнером в Китае.
Читать далееОтправить запросПластина Semicorex Susceptor Plate является важнейшим компонентом процесса эпитаксиального роста и специально разработана для удержания полупроводниковых пластин во время осаждения тонких пленок или слоев. Semicorex стремится предоставлять качественную продукцию по конкурентоспособным ценам, и мы надеемся стать вашим долгосрочным партнером в Китае.
Читать далееОтправить запрос