Планетарный датчик ALD

Приложения:

Нанесение диэлектрика High-k: Планетарный сусцептор ALD демонстрирует превосходную устойчивость к агрессивным предшественникам, используемым при нанесении диэлектрических материалов с высоким коэффициентом k, таких как оксид гафния (HfO2) и оксид алюминия (Al2O3). Это делает планетарный токоприемник ALD подходящим для изготовления высокопроизводительных транзисторов для логики и памяти.

Слои металлизации: Высокотемпературная стабильность планетарного датчика ALD позволяет наносить слои металлизации при повышенных температурах, что приводит к улучшению свойств пленки, таким как более низкое удельное сопротивление и более высокая плотность. Это имеет решающее значение для создания эффективных межсоединений в современных полупроводниковых устройствах.

Изготовление оптико-электронных устройств:Инертная природа планетарного сусцептора ALD сводит к минимуму нежелательные реакции с прекурсорами, используемыми при нанесении чувствительных материалов, таких как полупроводники III-V, что делает планетарный сусцептор ALD идеально подходящим для производства светодиодов, лазеров и других оптоэлектронных компонентов.

Цикл АЛД

Атомно-слоевое осаждение (ALD)предлагает несколько ключевых преимуществ по сравнению с другими методами осаждения тонких пленок, что делает его все более популярным для различных приложений, особенно в микроэлектронике и нанотехнологиях.

Вот некоторые из ключевых преимуществ ALD:

1. Контроль толщины на уровне ангстрема:

ALD позволяет точно контролировать толщину пленки вплоть до уровня ангстрема (0,1 нанометра). Такой уровень точности достигается за счет самоограничивающихся поверхностных реакций, при которых каждый цикл осаждает один атомный слой.

2. Отличная однородность и конформность:

ALD демонстрирует исключительную однородность на больших площадях поверхности и в сложных трехмерных структурах, включая элементы с высоким соотношением сторон, такие как канавки и переходные отверстия. Это имеет решающее значение для применений, требующих однородного покрытия сложной геометрии, например, в полупроводниковых устройствах.

3. Низкая температура осаждения:

ALD может выполняться при относительно низких температурах (часто ниже 300°C) по сравнению с другими методами осаждения. Это выгодно для термочувствительных подложек и позволяет использовать более широкий спектр материалов.

4. Качественные фильмы:

ALD обычно производит пленки с превосходной плотностью, низким уровнем примесей и высокой однородностью состава и толщины. Эти характеристики необходимы для достижения оптимальной производительности в различных приложениях.

5. Широкий выбор материалов:

ALD предлагает широкий выбор материалов, которые можно наносить, включая оксиды, нитриды, металлы и сульфиды. Такая универсальность делает его пригодным для широкого спектра применений.

6. Масштабируемость и промышленная применимость:

Технология ALD обладает высокой масштабируемостью и может быть легко интегрирована в существующие производственные процессы. Он совместим с материалами различных размеров и форм, что делает его пригодным для крупносерийного производства.