SiC эпи-вафельный рецептор

Semicorex является крупным производителем и поставщиком графитовых токоприемников с покрытием из карбида кремния в Китае. Мы специализируемся на полупроводниковой промышленности, такой как слои карбида кремния и эпитаксия полупроводников. Наш SiC Epi-Wafer Susceptor имеет хорошее ценовое преимущество и охватывает многие рынки Европы и Америки. Мы надеемся стать вашим долгосрочным партнером.

Отправить запрос

Описание продукта

Semicorex поставляет SiC Epi-Wafer Susceptor с MOCVD-покрытием, используемым для поддержки пластин. Их конструкция из графита с покрытием из карбида кремния высокой чистоты (SiC) обеспечивает превосходную термостойкость, равномерную термическую однородность для обеспечения постоянной толщины и стойкости эпи-слоя, а также длительную химическую стойкость. Тонкое кристаллическое покрытие SiC обеспечивает чистую и гладкую поверхность, что очень важно для удобства работы, поскольку чистые пластины контактируют с токоприемником во многих точках по всей своей площади.
Наш SiC Epi-Wafer Susceptor разработан для достижения наилучшей ламинарной схемы потока газа, обеспечивая равномерность теплового профиля. Это помогает предотвратить любые загрязнения или диффузию примесей, обеспечивая высококачественный эпитаксиальный рост на пластине.
Свяжитесь с нами сегодня, чтобы узнать больше о нашем SiC Epi-Wafer Susceptor.

Параметры SiC Epi-Wafer Susceptor

Основные характеристики покрытия CVD-SIC
Свойства SiC-CVD
Кристаллическая структура	FCC β-фаза
Плотность	г/см³	3.21
Твердость	Твердость по Виккерсу	2500
Размер зерна	мкм	2~10
Химическая чистота	%	99.99995
Теплоемкость	Дж кг-1 К-1	640
Температура сублимации	℃	2700
Фелексуральная сила	МПа (RT 4-точечный)	415
Модуль Юнга	Gpa (изгиб 4 пт, 1300 ℃)	430
Тепловое расширение (CTE)	10-6К-1	4.5
Теплопроводность	(Вт/мК)	300

Особенности SiC Epi-Wafer Susceptor

Графит высокой чистоты с покрытием SiC
Превосходная термостойкость и термическая однородность
Мелкое кристаллическое покрытие SiC для гладкой поверхности
Высокая стойкость к химической чистке.
Материал спроектирован таким образом, чтобы не возникало трещин и расслоений.