SiC Epi-Wafer Susceptor

Semicorex поставляет SiC Epi-Wafer Susceptor с покрытием MOCVD, используемым для поддержки пластин. Их графитовая конструкция с покрытием из высокочистого карбида кремния (SiC) обеспечивает превосходную термостойкость, равномерную термическую однородность для постоянной толщины эпитаксиального слоя и стойкости, а также длительную химическую стойкость. Покрытие из мелких кристаллов карбида кремния обеспечивает чистую, гладкую поверхность, что очень важно для обращения, поскольку нетронутые пластины контактируют с токоприемником во многих точках по всей площади.
Наш SiC Epi-Wafer Susceptor разработан для достижения наилучшей ламинарной картины газового потока, обеспечивая равномерность теплового профиля. Это помогает предотвратить любое загрязнение или диффузию примесей, обеспечивая высококачественный эпитаксиальный рост на кристалле пластины.
Свяжитесь с нами сегодня, чтобы узнать больше о нашем SiC Epi-Wafer Susceptor.

Параметры SiC Epi-Wafer Susceptor

Характеристики SiC Epi-Wafer Susceptor

Графит высокой чистоты с покрытием SiC
Превосходная термостойкость и тепловая однородность
Мелкие кристаллы карбида кремния с покрытием для получения гладкой поверхности
Высокая стойкость к химической очистке
Материал разработан таким образом, чтобы не возникало трещин и расслаивания.