Дом > Продукты > Карбид кремния с покрытием > SiC-эпитаксии > Носитель эпитаксиальных пластин GaN-on-SiC
Продукты
Носитель эпитаксиальных пластин GaN-on-SiC
  • Носитель эпитаксиальных пластин GaN-on-SiCНоситель эпитаксиальных пластин GaN-on-SiC
  • Носитель эпитаксиальных пластин GaN-on-SiCНоситель эпитаксиальных пластин GaN-on-SiC
  • Носитель эпитаксиальных пластин GaN-on-SiCНоситель эпитаксиальных пластин GaN-on-SiC
  • Носитель эпитаксиальных пластин GaN-on-SiCНоситель эпитаксиальных пластин GaN-on-SiC
  • Носитель эпитаксиальных пластин GaN-on-SiCНоситель эпитаксиальных пластин GaN-on-SiC

Носитель эпитаксиальных пластин GaN-on-SiC

Semicorex является ведущим независимым производителем графита с покрытием из карбида кремния, графита высокой чистоты прецизионной обработки, специализирующегося на графите с покрытием из карбида кремния, керамике из карбида кремния, MOCVP в области производства полупроводников. Наш носитель для эпитаксиальных пластин GaN-on-SiC имеет хорошее ценовое преимущество и охватывает многие европейские и американские рынки. Мы с нетерпением ждем возможности стать вашим долгосрочным партнером в Китае.

Отправить запрос

Описание продукта

Покрытие Semicorex SiC эпитаксиальных пластин GaN-on-SiC. Носитель представляет собой плотное, износостойкое покрытие из карбида кремния (SiC). Он обладает высокими коррозионно- и термостойкостью, а также отличной теплопроводностью. Мы наносим SiC тонкими слоями на графит, используя процесс химического осаждения из паровой фазы (CVD).
Наш носитель для эпитаксиальных пластин GaN-on-SiC разработан для достижения наилучшей ламинарной схемы потока газа, обеспечивая равномерность теплового профиля. Это помогает предотвратить любые загрязнения или диффузию примесей, обеспечивая высококачественный эпитаксиальный рост на пластине.
Свяжитесь с нами сегодня, чтобы узнать больше о нашем носителе для эпитаксиальных пластин GaN-on-SiC.


Параметры носителя эпитаксиальных пластин GaN-on-SiC

Основные характеристики покрытия CVD-SIC

Свойства SiC-CVD

Кристаллическая структура

FCC β-фаза

Плотность

г/см³

3.21

Твердость

Твердость по Виккерсу

2500

Размер зерна

мкм

2~10

Химическая чистота

%

99.99995

Теплоемкость

Дж кг-1 К-1

640

Температура сублимации

2700

Фелексуральная сила

МПа (RT 4-точечный)

415

Модуль Юнга

Gpa (изгиб 4 пт, 1300 ℃)

430

Тепловое расширение (CTE)

10-6К-1

4.5

Теплопроводность

(Вт/мК)

300


Особенности носителя эпитаксиальных пластин GaN-on-SiC

- Избегайте отслаивания и обеспечьте покрытие на всей поверхности.
Устойчивость к высокотемпературному окислению: Стабилен при высоких температурах до 1600°C.
Высокая чистота: получено методом химического осаждения из паровой фазы CVD в условиях высокотемпературного хлорирования.
Коррозионная стойкость: высокая твердость, плотная поверхность и мелкие частицы.
Коррозионная стойкость: кислоты, щелочи, соли и органические реагенты.
- Достижение наилучшего ламинарного режима потока газа
- Гарантия равномерности теплового профиля
- Предотвратить любое загрязнение или диффузию примесей.




Горячие Теги: Носитель эпитаксиальных пластин GaN-on-SiC, Китай, Производители, Поставщики, Фабрика, Индивидуальные, Массовые, Передовые, Прочные
Связанная категория
Отправить запрос
Пожалуйста, не стесняйтесь дать свой запрос в форме ниже. Мы ответим вам в течение 24 часов.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept