Рецептор эпитаксии MOCVD

Susceptor Semicorex MOCVD Epitaxy Susceptor стал важнейшим компонентом эпитаксии методом химического осаждения металлов и органических соединений (MOCVD), позволяющим изготавливать высокопроизводительные полупроводниковые устройства с исключительной эффективностью и точностью. Уникальное сочетание свойств материала делает его идеально подходящим для сложных термических и химических условий, возникающих при эпитаксиальном выращивании сложных полупроводников.**

Отправить запрос

Описание продукта

Преимущества для требовательных применений эпитаксии:

Сверхвысокая чистота:The MOCVD Epitaxy Susceptor создан для достижения сверхвысокого уровня чистоты, сводя к минимуму риск попадания нежелательных примесей в растущие эпитаксиальные слои. Эта исключительная чистота имеет решающее значение для поддержания высокой подвижности носителей, достижения оптимальных профилей легирования и, в конечном итоге, создания высокопроизводительных полупроводниковых устройств.

Исключительная стойкость к тепловому удару:Чувствительный элемент для эпитаксии MOCVD обладает замечательной устойчивостью к тепловому удару, выдерживая быстрые изменения температуры и градиенты, присущие процессу MOCVD. Эта стабильность обеспечивает стабильную и надежную работу на критических этапах нагрева и охлаждения, сводя к минимуму риск изгиба пластины, дефектов, вызванных напряжением, и перерывов в процессе.

Превосходная химическая стойкость:Датчик эпитаксии MOCVD демонстрирует исключительную устойчивость к широкому спектру химически активных газов и химикатов, используемых в MOCVD, включая коррозионные побочные продукты, которые могут образовываться при повышенных температурах. Эта инертность предотвращает загрязнение эпитаксиальных слоев и обеспечивает чистоту осаждаемого полупроводникового материала, что имеет решающее значение для достижения желаемых электрических и оптических свойств.

Наличие в комплектех Формы: Эпитаксиальный токоприемник MOCVD может быть точно обработан до сложных форм и геометрических форм для оптимизации динамики газового потока и однородности температуры внутри реактора MOCVD. Такая возможность индивидуального проектирования обеспечивает равномерный нагрев пластин-подложек, сводя к минимуму колебания температуры, которые могут привести к нестабильному эпитаксиальному росту и производительности устройства.