Эпитаксия вафельный носитель

ПриложениеИКАЦИИ:Эпитаксиальный держатель пластин, разработанный Semicorex, специально разработан для использования в различных передовых процессах производства полупроводников. Эти носители идеально подходят для таких сред, как:

Плазменное химическое осаждение из паровой фазы (PECVD):В процессах PECVD эпитаксический носитель пластин необходим для работы с подложками во время процесса осаждения тонких пленок, обеспечивая стабильное качество и однородность.

Эпитаксия кремния и SiC:Для эпитаксии кремния и SiC, когда на подложки наносятся тонкие слои для формирования высококачественных кристаллических структур, Epitaxy Wafer Carrier сохраняет стабильность в экстремальных температурных условиях.

Установки металлоорганического химического осаждения из паровой фазы (MOCVD):Для устройств MOCVD, используемых для изготовления сложных полупроводниковых устройств, таких как светодиоды и силовая электроника, требуются носители, способные выдерживать высокие температуры и агрессивные химические среды, присущие этому процессу.

Преимущества:

Стабильная и равномерная производительность при высоких температурах:

Комбинация изотропного графита и покрытия из карбида кремния (SiC) обеспечивает исключительную термическую стабильность и однородность при высоких температурах. Изотропный графит обладает стабильными свойствами во всех направлениях, что имеет решающее значение для обеспечения надежной работы носителя для эпитаксии, используемого в условиях термического напряжения. Покрытие SiC способствует поддержанию равномерного распределения тепла, предотвращению появления горячих точек и обеспечению надежной работы носителя в течение длительных периодов времени.

Повышенная коррозионная стойкость и увеличенный срок службы компонентов:

Покрытие SiC с его кубической кристаллической структурой обеспечивает слой покрытия высокой плотности. Эта структура значительно повышает устойчивость держателя пластин для эпитаксии к агрессивным газам и химическим веществам, обычно встречающимся в процессах PECVD, эпитаксии и MOCVD. Плотное покрытие SiC защищает нижележащую графитовую подложку от разрушения, тем самым продлевая срок службы носителя и снижая частоту замен.

Оптимальная толщина покрытия и укрывистость:

Semicorex использует технологию нанесения покрытий, обеспечивающую стандартную толщину покрытия SiC от 80 до 100 мкм. Такая толщина оптимальна для достижения баланса между механической защитой и теплопроводностью. Технология гарантирует, что все открытые участки, в том числе со сложной геометрией, будут равномерно покрыты, сохраняя плотный и непрерывный защитный слой даже на небольших и сложных элементах.

Превосходная защита от адгезии и коррозии:

Пропитывая верхний слой графита покрытием SiC, Epitaxy Wafer Carrier обеспечивает исключительную адгезию между подложкой и покрытием. Этот метод не только гарантирует сохранение покрытия при механических воздействиях, но и усиливает защиту от коррозии. Плотно связанный слой SiC действует как барьер, предотвращая попадание химически активных газов и химикатов в графитовый сердечник, тем самым сохраняя структурную целостность носителя при длительном воздействии жестких условий обработки.

Возможность покрытия сложной геометрии:

Передовая технология нанесения покрытий, используемая Semicorex, позволяет равномерно наносить покрытие SiC на изделия сложной геометрии, например, на небольшие глухие отверстия диаметром всего 1 мм и глубиной более 5 мм. Эта способность имеет решающее значение для обеспечения комплексной защиты держателя Epitaxy Wafer Carrier даже в тех областях, на которые традиционно сложно наносить покрытие, тем самым предотвращая локальную коррозию и разрушение.

Высокая чистота и четко определенный интерфейс покрытия SiC:

При обработке пластин из кремния, сапфира, карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN) и других материалов ключевым преимуществом является высокая чистота границы раздела покрытия SiC. Это высокочистое покрытие Epitaxy Wafer Carrier предотвращает загрязнение и сохраняет целостность пластин во время высокотемпературной обработки. Четко определенный интерфейс обеспечивает максимальную теплопроводность, обеспечивая эффективную передачу тепла через покрытие без каких-либо значительных тепловых барьеров.

Функция диффузионного барьера:

Покрытие SiC основы для эпитаксии также служит эффективным диффузионным барьером. Он предотвращает абсорбцию и десорбцию примесей из нижележащего графитового материала, тем самым поддерживая чистоту технологической среды. Это особенно важно в производстве полупроводников, где даже незначительные уровни примесей могут существенно повлиять на электрические характеристики конечного продукта.