Графитовый лоток с покрытием SiC

Являясь основным компонентом эпитаксиального оборудования,Графитовый лоток с покрытием SiC, напрямую влияет на эффективность производства, однородность и дефектность роста эпитаксиального слоя.    

Благодаря очистке графита, прецизионной обработке и чистящей обработке поверхность графитовой подложки может достичь превосходной плоскостности и гладкости, успешно избегая риска загрязнения частицами. В результате химического осаждения из паровой фазы поверхность графитовой подложки вступает в химическую реакцию с химически активным газом, в результате чего образуется плотное, беспористое и равномерно толстое покрытие из карбида кремния (SiC). Весь производственный процесс, от подготовки подложки до нанесения покрытия, осуществляется в чистом помещении класса 100, соответствующем стандартам чистоты, подходящим для полупроводников.

Графитовый лоток с покрытием SiC, изготовленный из высокочистого графита с низким содержанием примесей и материалов SiC, имеет отличную теплопроводность и низкий коэффициент теплового расширения. Это не только позволяет графитовому лотку с покрытием SiC быстро и равномерно передавать тепло, улучшая качество роста эпитаксиального слоя, но также эффективно снижает риск отслаивания или растрескивания покрытия из-за термического напряжения. Кроме того, равномерное и плотное покрытие SiC устойчиво к высоким температурам, окислению и коррозии, обеспечивая длительную стабильную работу в условиях высоких температур и агрессивных газов.

Графитовый лоток с покрытием SiC имеет более высокую совместимость с оборудованием для химического осаждения металлоорганических соединений (MOCVD). Его размеры были тщательно подобраны и разработаны с учетом различных параметров процесса и требований к оборудованию. Semicorex всегда настаивает на предоставлении профессиональных услуг нашим уважаемым клиентам, чтобы точно удовлетворить их требования к различным размерам, толщине покрытия и шероховатости поверхности графитовых лотков с покрытием SiC.