Монокристаллический кремниевый эпитаксиальный датчик — это важный компонент, разработанный для процессов эпитаксии Si-GaN, который можно адаптировать к индивидуальным спецификациям и предпочтениям, обеспечивая индивидуальное решение, которое идеально соответствует конкретным требованиям. Независимо от того, влечет ли это за собой изменение размеров или корректировку толщины покрытия, мы обладаем возможностью спроектировать и поставить продукт, который соответствует различным параметрам процесса, тем самым оптимизируя производительность для целевых применений. Приверженность Semicorex обеспечению лидирующего на рынке качества в сочетании с конкурентоспособными финансовыми соображениями укрепляет наше стремление к установлению партнерских отношений для выполнения ваших требований по транспортировке полупроводниковых пластин.
Суцепторы при эпитаксиальном выращивании требуют способности выдерживать повышенные температуры и строгие процедуры химической очистки. Монокристаллический кремниевый эпитаксиальный токоприемник был тщательно разработан специально для удовлетворения строгих требований, предъявляемых к эпитаксионному оборудованию.
Эти токоприемники имеют конструкцию, состоящую из графита с покрытием из карбида кремния (SiC) высокой чистоты, который обеспечивает непревзойденную устойчивость к нагреву, обеспечивая равномерное распределение тепла для обеспечения одинаковой толщины и сопротивления эпитаксионного слоя.
Кроме того, монокристаллический кремниевый эписуцептор демонстрирует исключительную стойкость к агрессивным химическим чистящим средствам. Использование мелкозернистого кристаллического покрытия SiC дополнительно способствует получению чистой и гладкой поверхности, что имеет первостепенное значение для эффективного обращения, поскольку незагрязненные пластины вступают в контакт с токоприемником в многочисленных точках по всей площади поверхности.
Использование монокристаллического кремниевого эписуцептора обеспечивает непоколебимую надежность и увеличенный срок службы, уменьшая необходимость частой замены и, как следствие, сводя к минимуму время простоя и расходы на техническое обслуживание. Его прочная конструкция и исключительные эксплуатационные возможности в значительной степени способствуют повышению эффективности процессов, в конечном итоге повышая производительность и экономическую эффективность в сфере производства полупроводников.