Эпитаксиальная монокристаллическая Si-пластина

Главным достоинством эпитаксиальной монокристаллической Si-пластины является ее превосходная плотность. Объединение графитовой подложки с покрытием из карбида кремния обеспечивает полную плотность, которая обеспечивает защиту от жестких условий, возникающих в высокотемпературных и агрессивных средах. Более того, токоприемник с покрытием из карбида кремния, предназначенный для синтеза монокристаллов, может похвастаться исключительно ровным профилем поверхности, что является решающим фактором для устойчивого производства пластин безупречного качества.

Не менее важным для конструкции нашего продукта является уменьшение разницы в тепловом расширении между графитовым сердечником и его покрытием из карбида кремния. Такое нововведение заметно повышает прочность адгезии, устраняя таким образом явления трещин и расслоения. Одновременно с этим эпитаксиальные монокристаллические кремниевые пластины обладают повышенной теплопроводностью в сочетании с похвальной склонностью к равномерному распределению тепла – факторам, которые играют важную роль в достижении однородности температуры во время производственного цикла.

Кроме того, эпитаксиальная монокристаллическая кремниевая пластина демонстрирует похвальную устойчивость к окислительной и коррозионной деградации при повышенных температурах, что обеспечивает ее долговечность и надежность. Его порог термической стойкости подчеркивается значительной температурой плавления, что гарантирует его способность выдерживать сложные температурные условия, присущие профессиональному производству полупроводников.