Душевая головка Semicorex SiC является важным компонентом процесса эпитаксиального выращивания и специально разработана для повышения однородности и эффективности нанесения тонких пленок на полупроводниковые пластины. Semicorex стремится предоставлять качественную продукцию по конкурентоспособным ценам, и мы надеемся стать вашим долгосрочным партнером в Китае.
Душевая головка Semicorex SiC является важным компонентом процесса эпитаксиального выращивания и специально разработана для повышения однородности и эффективности нанесения тонких пленок на полупроводниковые пластины. Душевая головка SiC изготовлена из объемного карбида кремния (SiC). Эта насадка для душа из карбида кремния, известная своей исключительной теплопроводностью, механической прочностью и химической стойкостью, обеспечивает оптимальную работу в высокотемпературных и агрессивных средах, типичных для эпитаксиальных реакторов.
Форма насадки SiC Shower Head тщательно разработана для обеспечения равномерного распределения исходных газов по поверхности пластины. Массив прецизионных отверстий обеспечивает контролируемый и постоянный поток, что имеет решающее значение для получения высококачественных эпитаксиальных слоев с однородной толщиной и составом. Такая конструкция сводит к минимуму газофазные реакции и образование частиц, способствуя превосходному выходу пластин и производительности устройства.
Насадка для душа из карбида кремния, идеальная для использования как в исследовательских целях, так и в крупносерийном производстве, выделяется своей долговечностью и надежностью, что значительно сокращает время простоя при обслуживании и эксплуатационные расходы. Его совместимость с различными эпитаксиальными процессами, включая химическое осаждение из паровой фазы (CVD), делает его универсальным и бесценным активом в индустрии производства полупроводников.