Травление Кольцо

Кольцо Semicorex Etching Ring является важнейшим компонентом оборудования для производства полупроводников, особенно систем плазменного травления. Изготовленный из карбида кремния методом химического осаждения из паровой фазы (CVD SiC), этот компонент обеспечивает превосходные характеристики в очень требовательных плазменных средах, что делает его незаменимым выбором для процессов прецизионного травления в полупроводниковой промышленности.

Процесс травления, фундаментальный шаг в создании полупроводниковых устройств, требует оборудования, способного выдерживать суровые плазменные условия без разрушения. Кольцо травления, расположенное как часть камеры, где плазма используется для травления рисунков на кремниевых пластинах, играет решающую роль в этом процессе.

Кольцо травления действует как структурный и защитный барьер, гарантируя, что плазма удерживается и направляется именно туда, где это необходимо в процессе травления. Учитывая экстремальные условия внутри плазменных камер, такие как высокие температуры, агрессивные газы и абразивная плазма, крайне важно, чтобы кольцо травления было изготовлено из материалов, обеспечивающих исключительную стойкость к износу и коррозии. Именно здесь CVD SiC (карбид кремния, полученный методом химического осаждения из паровой фазы) доказывает свою ценность как лучший выбор для изготовления колец для травления.

CVD SiC — это современный керамический материал, известный своими выдающимися механическими, химическими и термическими свойствами. Эти характеристики делают его идеальным материалом для использования в оборудовании для производства полупроводников, особенно в процессе травления, где требования к производительности высоки.

Высокая твердость и износостойкость:

CVD SiC — один из самых твердых материалов, уступающий только алмазу. Эта чрезвычайная твердость обеспечивает превосходную износостойкость, что позволяет выдерживать суровые абразивные условия плазменного травления. Кольцо травления, подвергающееся в процессе непрерывной бомбардировке ионами, может сохранять свою структурную целостность в течение более длительного времени по сравнению с другими материалами, что снижает частоту замен.

Химическая инертность:

Одной из основных проблем в процессе травления является коррозионная природа плазменных газов, таких как фтор и хлор. Эти газы могут вызвать значительную деградацию материалов, которые не являются химически стойкими. Однако CVD-SiC демонстрирует исключительную химическую инертность, особенно в плазменной среде, содержащей агрессивные газы, тем самым предотвращая загрязнение полупроводниковых пластин и обеспечивая чистоту процесса травления.

Термическая стабильность:

Процессы травления полупроводников часто происходят при повышенных температурах, что может вызвать термическую нагрузку на материалы. CVD SiC обладает превосходной термической стабильностью и низким коэффициентом теплового расширения, что позволяет ему сохранять форму и структурную целостность даже при высоких температурах. Это сводит к минимуму риск термической деформации, обеспечивая постоянную точность травления на протяжении всего производственного цикла.

Высокая чистота:

Чистота материалов, используемых в производстве полупроводников, имеет первостепенное значение, поскольку любое загрязнение может отрицательно повлиять на производительность и выход полупроводниковых устройств. CVD SiC — это материал высокой чистоты, что снижает риск попадания примесей в производственный процесс. Это способствует повышению выхода продукции и улучшению общего качества производства полупроводников.

Кольцо травления, изготовленное из CVD-SiC, в основном используется в системах плазменного травления, которые используются для травления сложных рисунков на полупроводниковых пластинах. Эти шаблоны необходимы для создания микроскопических схем и компонентов, используемых в современных полупроводниковых устройствах, включая процессоры, микросхемы памяти и другую микроэлектронику.