Душевые лейки CVD SiC

Душевые насадки Semicorex CVD SiC используются для травления CCP. В машинах для травления CCP используются два параллельных электрода (один заземлен, другой подключен к источнику радиочастотного питания) для генерации плазмы. Плазма поддерживается между двумя электродами за счет электрического поля между ними. Электроды и газораспределительная пластина объединены в единый компонент. Травильный газ равномерно распыляется на поверхность пластины через небольшие отверстия в душевых насадках CVD SiC. Одновременно на душевую насадку (а также на верхний электрод) подается высокочастотное напряжение. Это напряжение создает электрическое поле между верхним и нижним электродами, возбуждающее газ с образованием плазмы. Такая конструкция обеспечивает более простую и компактную структуру, обеспечивая при этом равномерное распределение молекул газа и однородное электрическое поле, что позволяет равномерно травить даже большие пластины.

Душевые насадки CVD SiC также можно применять при травлении ICP. В устройствах для травления ICP используется индукционная катушка (обычно соленоид) для генерации радиочастотного магнитного поля, индуцирующего ток и плазму. Душевые головки CVD SiC, как отдельный компонент, отвечают за равномерную подачу травильного газа в область плазмы.

Душевая насадка CVD SiC — это высокочистый и прецизионный компонент для оборудования для обработки полупроводников, который имеет основополагающее значение для газораспределения и работоспособности электродов. Используя технологию химического осаждения из паровой фазы (CVD), душевая насадка достигает исключительных результатов.

абсолютная чистота материалов и превосходный контроль размеров, отвечающий строгим требованиям будущего производства полупроводников.