Кольцо фокусировки CVD SiC

Усовершенствованный процесс химического осаждения из паровой фазы (CVD)

Процесс CVD, используемый при изготовлении фокусирующего кольца CVD SiC, включает в себя точное осаждение SiC в определенные формы с последующей строгой механической обработкой. Этот метод гарантирует постоянство параметров удельного сопротивления материала благодаря фиксированному соотношению материалов, определенному после обширных экспериментов. Результатом является кольцо фокусировки с беспрецедентной чистотой и однородностью.

Превосходное сопротивление плазменному воздействию

Одним из наиболее привлекательных качеств фокусировочного кольца CVD SiC является его исключительная устойчивость к плазме. Учитывая, что кольца фокусировки подвергаются непосредственному воздействию плазмы внутри вакуумной реакционной камеры, потребность в материале, способном выдерживать такие суровые условия, имеет первостепенное значение. Карбид кремния с уровнем чистоты 99,9995% не только разделяет электропроводность кремния, но также обеспечивает превосходную устойчивость к ионному травлению, что делает его идеальным выбором для оборудования плазменного травления.

Высокая плотность и уменьшенный объем травления

По сравнению с кремниевыми (Si) кольцами фокусировки, кольцо фокусировки CVD SiC имеет более высокую плотность, что значительно уменьшает объем травления. Это свойство имеет решающее значение для продления срока службы кольца фокусировки и поддержания целостности процесса производства полупроводников. Уменьшение объема травления приводит к меньшему количеству простоев и снижению затрат на техническое обслуживание, что в конечном итоге повышает эффективность производства.

Широкая запрещенная зона и отличная изоляция

Широкая запрещенная зона SiC обеспечивает превосходные изоляционные свойства, которые необходимы для предотвращения воздействия нежелательных электрических токов на процесс травления. Эта характеристика гарантирует, что кольцо фокусировки сохраняет свою работоспособность в течение длительного времени, даже в самых сложных условиях.

Теплопроводность и устойчивость к тепловому удару

Фокусирующие кольца CVD SiC обладают высокой теплопроводностью и низким коэффициентом расширения, что делает их очень устойчивыми к тепловому удару. Эти свойства особенно полезны в приложениях, связанных с быстрой термической обработкой (RTP), где кольцо фокусировки должно выдерживать интенсивные тепловые импульсы с последующим быстрым охлаждением. Способность кольца фокусировки CVD SiC оставаться стабильным в таких условиях делает его незаменимым в современном производстве полупроводников.

Механическая прочность и долговечность

Высокая эластичность и твердость фокусирующего кольца CVD SiC обеспечивают превосходную устойчивость к механическому воздействию, износу и коррозии. Эти характеристики гарантируют, что кольцо фокусировки сможет выдержать строгие требования производства полупроводников, сохраняя свою структурную целостность и производительность с течением времени.

Приложения в различных отраслях

1. Производство полупроводников

В сфере производства полупроводников фокусирующее кольцо CVD SiC является важным компонентом оборудования для плазменного травления, особенно тех, в которых используются системы емкостно-связанной плазмы (CCP). Высокая энергия плазмы, необходимая в этих системах, делает плазменную стойкость и долговечность CVD SiC Focus Ring неоценимыми. Кроме того, его превосходные тепловые свойства делают его хорошо подходящим для применений RTP, где распространены быстрые циклы нагрева и охлаждения.

2. Носители светодиодных пластин

Фокусное кольцо CVD SiC также очень эффективно при производстве держателей пластин для светодиодов. Термическая стабильность материала и устойчивость к химической коррозии гарантируют, что кольцо фокусировки выдержит суровые условия, возникающие при производстве светодиодов. Эта надежность приводит к более высокой производительности и более высокому качеству светодиодных пластин.

3. Мишени для распыления

При распылении высокая твердость и устойчивость к износу кольца фокусировки CVD SiC делают его идеальным выбором для распыления мишеней. Способность кольца фокусировки сохранять свою структурную целостность при высокоэнергетических ударах обеспечивает стабильную и надежную производительность распыления, что имеет решающее значение при производстве тонких пленок и покрытий.