Пористый графит с покрытием из карбида тантала

СемикорексКарбид ТанталаПористый графит с покрытием специально разработан для оптимизации различных аспектов процесса выращивания кристаллов SiC, включая фильтрацию паровых компонентов, регулировку локального температурного градиента, управление направлением потока и контроль утечек.

Пористая природа пористого графита с покрытием из карбида тантала позволяет эффективно фильтровать компоненты пара в процессе роста кристаллов SiC. Это гарантирует, что только нужные материалы способствуют образованию кристаллов, улучшая чистоту и общее качество. Поддержание точного контроля температуры имеет решающее значение для роста кристаллов. Пористый графит с покрытием из карбида тантала повышает термическую стабильность и проводимость пористого графита, позволяя более точно регулировать локальные температурные градиенты. Это приводит к лучшему контролю над морфологией кристаллов и скоростью роста. Структурная конструкция пористого графита с покрытием из карбида тантала в сочетании с покрытием TaC облегчает направленный поток веществ. Это гарантирует доставку материалов именно туда, где это необходимо, способствуя равномерному росту кристаллов и снижая вероятность появления дефектов. Эффективный контроль утечки материала жизненно важен для поддержания целостности среды роста. Пористый графит с покрытием из карбида тантала обеспечивает превосходные герметизирующие свойства, предотвращая нежелательные утечки и обеспечивая стабильную и контролируемую атмосферу роста.

Преимущества пористого графита с покрытием из карбида тантала:

Высокая температура плавления и термическая стабильность:ТаСимеет исключительно высокую температуру плавления (около 3880°C) и превосходную термическую стабильность, что делает пористый графит с покрытием из карбида тантала идеальным для высокотемпературных применений, таких как выращивание кристаллов SiC.

Химическая инертность: TaC обладает высокой устойчивостью к химическим реакциям, благодаря чему покрытие остается неповрежденным и эффективным даже в агрессивных средах.

Повышенная долговечность: покрытие TaC значительно увеличивает долговечность пористого графита, продлевая срок службы пористого графита с покрытием из карбида тантала и уменьшая необходимость в частой замене.

Высокая пористость: Высокая пористость графита обеспечивает эффективную фильтрацию и контроль потока, что необходимо для высококачественного роста кристаллов.

Легкий и прочный: пористый графит одновременно легкий и механически прочный, что делает его простым в обращении и способным выдерживать суровые условия процесса выращивания кристаллов.

Теплопроводность: отличная теплопроводность графита обеспечивает эффективное распределение тепла, что имеет решающее значение для поддержания постоянного температурного градиента.

Пористый графит Semicorex с покрытием из карбида тантала представляет собой значительный прогресс в области материалов для выращивания кристаллов SiC. Сочетая уникальные свойства TaC с преимуществами, присущими пористому графиту, этот материал обеспечивает превосходные характеристики фильтрации паровых компонентов, регулировки температурного градиента, управления направлением потока и контроля утечек. Его надежная термическая стабильность, химическая инертность и повышенная долговечность делают его бесценным активом в поисках высококачественных кристаллов SiC.