Покрытие TaC Верхний Полумесяц

Semicorex TaC Coating Upper Halfmoon — это специально разработанный компонент, предназначенный для достижения высокоэффективных эпитаксиальных процессов в сфере производства полупроводников. TaC Coating Upper Halfmoon разработан так, чтобы легко вставляться в эпитаксиальные реакторы, обеспечивая исключительную долговечность и стабильность в экстремальных условиях.

Покрытие TaC обеспечивает превосходную устойчивость к высоким температурам, что делает покрытие TaC Upper Halfmoon идеальным для сложных температурных условий эпитаксиальных процессов. Это обеспечивает стабильную производительность и долговечность, сокращая частоту замен и время простоев. Покрытие TaC Upper Halfmoon способно противостоять агрессивным газам и химическим веществам, обычно используемым при эпитаксиальном выращивании, защищая целостность компонента и поддерживая чистоту процесса.

Гладкое и однородное покрытие TaC повышает качество эпитаксиальных слоев за счет минимизации дефектов и примесей. Это способствует более высокому выходу продукции и превосходным электронным свойствам полупроводниковых приборов. Сочетание термической и химической стойкости продлевает срок службы TaC Coating Upper Halfmoon, обеспечивая экономичное решение для поддержания высокой производительности и эффективности в производстве полупроводников.

Приложения:

Процессы высокотемпературного химического осаждения из паровой фазы (CVD)

Эпитаксия карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN)

Технические характеристики:

Материал: Покрытие из карбида тантала (TaC).

Температурный диапазон: до 2200°C

Химическая стойкость: превосходна по отношению к HF, HCl и другим агрессивным газам.

Размеры: настраиваются в соответствии с конкретными моделями реакторов.

Semicorex TaC Coating Upper Halfmoon является важным компонентом для получения высококачественных эпитаксиальных слоев с повышенной эффективностью и снижением риска загрязнения. Его передовые свойства материала и точная инженерия делают его ценным активом в полупроводниковой промышленности, поддерживая производство электронных устройств следующего поколения.