Ресиверная пластина

Пластина Semicorex Susceptor Plate является важнейшим компонентом процесса эпитаксиального роста и специально разработана для удержания полупроводниковых пластин во время осаждения тонких пленок или слоев. В контексте химического осаждения металлов и органических соединений (MOCVD) эти пластины изготавливаются из материалов, которые выдерживают высокие температуры и обеспечивают стабильную поверхность для роста эпитаксиальных слоев.

Токоприемная пластина, используемая в этом процессе, изготовлена ​​из графита, покрытого карбидом кремния (SiC) посредством процесса MOCVD. Карбид кремния обладает исключительной термической стабильностью, механической прочностью и устойчивостью к химическим реакциям, что делает его идеальным выбором для сложных условий эпитаксиального роста.

При MOCVD токопроводящая пластина играет ключевую роль, эффективно передавая тепло полупроводниковым пластинам. Пластина поглощает энергию из окружающей среды и излучает ее в сторону пластин, способствуя контролируемому осаждению тонких пленок на поверхности пластин. Такой точный контроль температуры необходим для получения однородных и высококачественных эпитаксиальных слоев, которые имеют решающее значение в производстве современных полупроводниковых устройств.

Тоскоприемная пластина в процессах MOCVD, состоящая из графита с покрытием SiC, служит надежной платформой для поддержки полупроводниковых пластин, обеспечивая оптимальную теплопередачу и способствуя успешному эпитаксиальному росту тонких пленок с желаемыми характеристиками для полупроводниковых применений.