Кремниевые эпитаксиальные сенсепторы

Вы можете быть уверены, что купите кремниевые эпитаксии на нашем заводе. Кремниевый эпитаксиальный токоприемник Semicorex — это высококачественный продукт высокой чистоты, используемый в полупроводниковой промышленности для эпитаксиального выращивания пластинчатых чипов. Наш продукт имеет превосходную технологию нанесения покрытия, которая гарантирует, что покрытие присутствует на всех поверхностях, предотвращая отслаивание. Продукт стабилен при высоких температурах до 1600°C, что делает его пригодным для использования в экстремальных условиях.

Отправить запрос

Описание продукта

Наши кремниевые эпитаксиальные токоприемники изготавливаются методом химического осаждения из паровой фазы CVD в условиях высокотемпературного хлорирования, что обеспечивает высокую чистоту. Поверхность изделия плотная, с мелкими частицами и высокой твердостью, что делает его устойчивым к коррозии к кислотам, щелочам, солям и органическим реагентам.
Наш продукт разработан для достижения наилучшей ламинарной схемы потока газа, гарантируя равномерность термического профиля. Наши кремниевые эпитаксиальные сенсоры предотвращают любое загрязнение или диффузию примесей в процессе эпитаксиального роста, обеспечивая высококачественные результаты.
В Semicorex мы уделяем особое внимание предоставлению нашим клиентам высококачественной и экономически эффективной продукции. Наши кремниевые эпитаксионные рецепторы имеют ценовое преимущество и экспортируются на многие рынки Европы и Америки. Мы стремимся стать вашим долгосрочным партнером, поставляя продукцию стабильного качества и обеспечивая исключительное обслуживание клиентов.

Параметры кремниевых эпитаксиальных суцепторов

Основные характеристики покрытия CVD-SIC
Свойства SiC-CVD
Кристаллическая структура	FCC β-фаза
Плотность	г/см³	3.21
Твердость	Твердость по Виккерсу	2500
Размер зерна	мкм	2~10
Химическая чистота	%	99.99995
Теплоемкость	Дж кг-1 К-1	640
Температура сублимации	℃	2700
Фелексуральная сила	МПа (RT 4-точечный)	415
Модуль Юнга	Gpa (изгиб 4 пт, 1300 ℃)	430
Тепловое расширение (CTE)	10-6К-1	4.5
Теплопроводность	(Вт/мК)	300

Параметры кремниевых эпитаксиальных суцепторов

- Избегайте отслаивания и обеспечьте покрытие на всей поверхности.
Устойчивость к высокотемпературному окислению: Стабилен при высоких температурах до 1600°C.
Высокая чистота: получено методом химического осаждения из паровой фазы CVD в условиях высокотемпературного хлорирования.
Коррозионная стойкость: высокая твердость, плотная поверхность и мелкие частицы.
Коррозионная стойкость: кислоты, щелочи, соли и органические реагенты.
- Достижение наилучшей ламинарной схемы потока газа
- Гарантия равномерности теплового профиля
- Предотвратить любое загрязнение или диффузию примесей.