Компания Semicorex является известным производителем и поставщиком высококачественных дисков MOCVD Cover Star для эпитаксии пластин. Наш продукт специально разработан для удовлетворения потребностей полупроводниковой промышленности, в частности, для выращивания эпитаксиального слоя на кристалле пластины. Наш токоприемник используется в качестве центральной пластины в MOCVD с зубчатой или кольцеобразной конструкцией. Продукт обладает высокой устойчивостью к высоким температурам и коррозии, что делает его идеальным для использования в экстремальных условиях.
Наша дисковая пластина MOCVD Cover Star для эпитаксии пластин — это превосходный продукт, обеспечивающий покрытие всей поверхности без отслаивания. Обладает стойкостью к высокотемпературному окислению, что обеспечивает стабильность даже при высоких температурах до 1600°C. Продукт производится с высокой чистотой путем химического осаждения из газовой фазы методом CVD в условиях высокотемпературного хлорирования. Он имеет плотную поверхность с мелкими частицами, что делает его очень устойчивым к коррозии от кислот, щелочей, солей и органических реагентов.
Наша дисковая пластина MOCVD Cover Star для эпитаксии пластин гарантирует наилучшую ламинарную схему газового потока, обеспечивая равномерность теплового профиля. Он предотвращает любое загрязнение или диффузию примесей, обеспечивая высококачественный эпитаксиальный рост на кристалле пластины. Наш продукт имеет конкурентоспособную цену, что делает его доступным для многих клиентов. Мы охватываем многие европейские и американские рынки, и наша команда стремится обеспечить отличное обслуживание и поддержку клиентов. Мы стремимся стать вашим долгосрочным партнером в предоставлении высококачественной и надежной дисковой пластины MOCVD Cover Star для эпитаксии пластин.
Параметры дисковой пластины MOCVD Cover Star для эпитаксии пластин
Основные характеристики покрытия CVD-SIC |
||
SiC-ХОПФ свойства |
||
Кристальная структура |
Фаза FCC β |
|
Плотность |
г/см³ |
3.21 |
твердость |
твердость по Виккерсу |
2500 |
Размер зерна |
μ м |
2~10 |
Химическая чистота |
% |
99.99995 |
Теплоемкость |
Дж·кг-1 ·К-1 |
640 |
Температура сублимации |
℃ |
2700 |
Фелексурная сила |
МПа (4-балльная КТ) |
415 |
Модуль Юнга |
ГПа (изгиб 4pt, 1300°C) |
430 |
Тепловое расширение (КТР) |
10-6К-1 |
4.5 |
Теплопроводность |
(Вт/мК) |
300 |
Особенности MOCVD Cover Star Disc Plate для эпитаксии пластин
- Избегайте отслаивания и обеспечьте покрытие на всей поверхности
Стойкость к высокотемпературному окислению: стабильна при высоких температурах до 1600°C.
Высокая чистота: получено химическим осаждением из паровой фазы CVD в условиях высокотемпературного хлорирования.
Коррозионная стойкость: высокая твердость, плотная поверхность и мелкие частицы.
Коррозионная стойкость: кислота, щелочь, соль и органические реагенты.
- Достичь наилучшего ламинарного потока газа
- Гарантия ровности теплового профиля
- Предотвратить любое загрязнение или диффузию примесей