Дом > Продукты > Карбид кремния с покрытием > Восприимчивость MOCVD > Подложка из карбида кремния и графита MOCVD Susceptor

Продукты

Подложка из карбида кремния и графита MOCVD Susceptor

Подложка из карбида кремния и графита MOCVD Susceptor

Semicorex Silicon Carbide Graphite Substrate MOCVD Susceptor — лучший выбор для производителей полупроводников, которые ищут высококачественный носитель, который может обеспечить превосходную производительность и долговечность. Усовершенствованный материал обеспечивает равномерный тепловой профиль и ламинарный характер потока газа, что позволяет получать высококачественные пластины.

Отправить запрос

Описание продукта

Наш токоприемник MOCVD на графитовой подложке из карбида кремния отличается высокой степенью чистоты и изготовлен путем химического осаждения из газовой фазы методом CVD в условиях высокотемпературного хлорирования, что обеспечивает однородность и консистенцию продукта. Он также обладает высокой коррозионной стойкостью, с плотной поверхностью и мелкими частицами, что делает его устойчивым к кислоте, щелочи, соли и органическим реагентам. Его стойкость к высокотемпературному окислению обеспечивает стабильность при высоких температурах до 1600°C.
Свяжитесь с нами сегодня, чтобы узнать больше о нашем токоприемнике MOCVD с графитовой подложкой из карбида кремния.


Параметры токоприемника MOCVD на графитовой подложке из карбида кремния

Основные характеристики покрытия CVD-SIC

SiC-ХОПФ свойства

Кристальная структура

Фаза FCC β

Плотность

г/см³

3.21

твердость

твердость по Виккерсу

2500

Размер зерна

μ м

2~10

Химическая чистота

%

99.99995

Теплоемкость

Дж·кг-1 ·К-1

640

Температура сублимации

2700

Фелексурная сила

МПа (4-балльная КТ)

415

Модуль Юнга

ГПа (изгиб 4pt, 1300°C)

430

Тепловое расширение (CTE)

10-6К-1

4.5

Теплопроводность

(Вт/мК)

300


Особенности графитового токоприемника с покрытием SiC для MOCVD

- Избегайте отслаивания и обеспечьте покрытие на всей поверхности
Стойкость к высокотемпературному окислению: стабильна при высоких температурах до 1600°C.
Высокая чистота: получено химическим осаждением из паровой фазы CVD в условиях высокотемпературного хлорирования.
Коррозионная стойкость: высокая твердость, плотная поверхность и мелкие частицы.
Коррозионная стойкость: кислота, щелочь, соль и органические реагенты.
- Достичь наилучшего ламинарного потока газа
- Гарантия ровности теплового профиля
- Предотвратить любое загрязнение или диффузию примесей




Горячие Теги: Карбид кремния Графитовая подложка MOCVD Susceptor, Китай, Производители, Поставщики, Фабрика, Индивидуальные, Массовые, Усовершенствованные, Прочные

Связанная категория

Отправить запрос

Пожалуйста, не стесняйтесь дать свой запрос в форме ниже. Мы ответим вам в течение 24 часов.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept