Дом > Продукты > Карбид кремния с покрытием
Продукты

Китай Карбид кремния с покрытием Производители, Поставщики, Фабрика

Покрытие SiC представляет собой тонкий слой на токоприемнике, полученный методом химического осаждения из паровой фазы (CVD). Карбид кремния имеет ряд преимуществ перед кремнием, в том числе 10-кратную напряженность электрического поля пробоя, 3-кратную ширину запрещенной зоны, что обеспечивает материалу высокую температурную и химическую стойкость, отличную износостойкость, а также теплопроводность.

Semicorex предоставляет индивидуальное обслуживание, помогает вам внедрять инновации с использованием компонентов, которые служат дольше, сокращают время цикла и повышают производительность.


Покрытие SiC обладает рядом уникальных преимуществ.

Устойчивость к высоким температурам: токоприемник с CVD-покрытием SiC может выдерживать высокие температуры до 1600°C без значительной термической деградации.

Химическая стойкость: покрытие из карбида кремния обеспечивает превосходную стойкость к широкому спектру химикатов, включая кислоты, щелочи и органические растворители.

Износостойкость: покрытие SiC придает материалу превосходную износостойкость, что делает его пригодным для применений, связанных с высоким износом.

Теплопроводность: покрытие CVD SiC придает материалу высокую теплопроводность, что делает его пригодным для использования в высокотемпературных приложениях, требующих эффективной теплопередачи.

Высокая прочность и жесткость: токоприемник с покрытием из карбида кремния придает материалу высокую прочность и жесткость, что делает его пригодным для применений, требующих высокой механической прочности.


Покрытие SiC используется в различных областях применения.

Производство светодиодов: Токоприемник с покрытием CVD SiC используется при производстве различных типов светодиодов, включая синие и зеленые светодиоды, УФ-светодиоды и светодиоды с глубоким УФ-излучением, благодаря его высокой теплопроводности и химической стойкости.



Мобильная связь: токоприемник с CVD-покрытием SiC является важной частью HEMT для завершения эпитаксиального процесса GaN-on-SiC.



Обработка полупроводников: Токоприемник с CVD-покрытием SiC используется в полупроводниковой промышленности для различных применений, включая обработку пластин и эпитаксиальное выращивание.





Графитовые компоненты с покрытием SiC

Изготовленное из графита с покрытием из карбида кремния (SiC), покрытие наносится методом CVD на определенные марки графита высокой плотности, поэтому оно может работать в высокотемпературной печи при температуре более 3000 ° C в инертной атмосфере и 2200 ° C в вакууме. .

Особые свойства и малая масса материала обеспечивают высокую скорость нагрева, равномерное распределение температуры и исключительную точность управления.


Данные о материале покрытия Semicorex SiC

Типичные свойства

Единицы

Ценности

Структура


FCC β-фаза

Ориентация

Фракция (%)

111 предпочтительный

Объемная плотность

г/см³

3.21

Твердость

Твердость по Виккерсу

2500

Теплоемкость

Дж кг-1 К-1

640

Тепловое расширение 100–600 °C (212–1112 °F)

10-6К-1

4.5

Модуль Юнга

Gpa (изгиб 4 пт, 1300 ℃)

430

Размер зерна

мкм

2~10

Температура сублимации

2700

Фелексуральная сила

МПа (RT 4-точечный)

415

Теплопроводность

(Вт/мК)

300


Выводы. Токоприемник с CVD-покрытием SiC представляет собой композиционный материал, сочетающий в себе свойства токоприемника и карбида кремния. Этот материал обладает уникальными свойствами, среди которых высокая температурная и химическая стойкость, отличная износостойкость, высокая теплопроводность, высокая прочность и жесткость. Эти свойства делают его привлекательным материалом для различных высокотемпературных применений, включая обработку полупроводников, химическую обработку, термообработку, производство солнечных батарей и производство светодиодов.






View as  
 
Поддержка Горнила

Поддержка Горнила

Semicorex Support Crucible является ключевым компонентом сложного процесса выращивания кристаллов солнечного кремния, служащим прочной основой для преобразования сырья в высококачественные кремниевые слитки, предназначенные для фотоэлектрических применений. Semicorex стремится предоставлять качественную продукцию по конкурентоспособным ценам, и мы надеемся стать вашим долгосрочным партнером в Китае.

Читать далееОтправить запрос
Ствольный токоприемник с покрытием SiC

Ствольный токоприемник с покрытием SiC

Semicorex Barrel Susceptor с SiC-покрытием — это передовое решение, разработанное для повышения эффективности и точности процессов эпитаксиального кремния. Созданный с тщательным вниманием к деталям, этот цилиндрический токоприемник с покрытием SiC специально разработан для удовлетворения строгих требований производства полупроводников, выступая в качестве оптимального держателя пластин и облегчая плавную передачу тепла к пластинам. Semicorex стремится предоставлять качественную продукцию по конкурентоспособным ценам, и мы надеемся стать вашим долгосрочным партнером в Китае.

Читать далееОтправить запрос
Карбид кремния для эпитаксии кремния

Карбид кремния для эпитаксии кремния

Корпус Semicorex SiC для кремниевой эпитаксии разработан с учетом жестких требований в области прикладных материалов и установок LPE. Созданный с точностью и инновациями, этот бочкообразный токоприемник изготовлен из высококачественного графита с покрытием SiC, что обеспечивает исключительную производительность и долговечность при эпитаксии кремния. Semicorex стремится предоставлять качественную продукцию по конкурентоспособным ценам, и мы надеемся стать вашим долгосрочным партнером в Китае.

Читать далееОтправить запрос
Графитовый токоприемник с покрытием SiC

Графитовый токоприемник с покрытием SiC

Графитовый токоприемник Semicorex с покрытием SiC является важным компонентом, предназначенным для процессов эпитаксии кремния в установках прикладных материалов и LPE (жидкофазной эпитаксии). Изготовленный из высококачественного графитового материала, покрытого карбидом кремния (SiC), этот токоприемник обеспечивает превосходную производительность и долговечность в условиях производства полупроводников. Semicorex стремится предоставлять качественную продукцию по конкурентоспособным ценам, и мы надеемся стать вашим долгосрочным партнером в Китае.

Читать далееОтправить запрос
Запасные части для эпитаксиального роста

Запасные части для эпитаксиального роста

Запасные части Semicorex для эпитаксиального выращивания являются важнейшими компонентами, используемыми в системах эпитаксиального выращивания, особенно в процессах, включающих установки с кварцевыми трубками. Эти детали играют жизненно важную роль в обеспечении потока газа, приводящего в движение основание лотка, и обеспечивают точный контроль температуры на протяжении всего процесса эпитаксиального роста. Semicorex стремится предоставлять качественную продукцию по конкурентоспособным ценам, и мы надеемся стать вашим долгосрочным партнером в Китае.

Читать далееОтправить запрос
Токоприемник ствола с CVD-покрытием SiC

Токоприемник ствола с CVD-покрытием SiC

Стволовый токоприемник Semicorex CVD SiC с покрытием представляет собой тщательно разработанный компонент, предназначенный для передовых процессов производства полупроводников, в частности для эпитаксии. Наша продукция имеет хорошее ценовое преимущество и охватывает большую часть рынков Европы и Америки. Мы с нетерпением ждем возможности стать вашим долгосрочным партнером в Китае.

Читать далееОтправить запрос
<...678910...24>
Semicorex производит Карбид кремния с покрытием в течение многих лет и является одним из профессиональных производителей и поставщиков Карбид кремния с покрытием в Китае. После того, как вы купите наши передовые и долговечные продукты, поставляющие оптовую упаковку, мы гарантируем быструю доставку большого количества. На протяжении многих лет мы предоставляем клиентам индивидуальное обслуживание. Клиенты довольны нашей продукцией и отличным сервисом. Мы искренне надеемся стать вашим надежным долгосрочным деловым партнером! Добро пожаловать на покупку продукции с нашего завода.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept