Поднос Semicorex SiC Wafer Tray является жизненно важным активом в процессе химического осаждения металлов и органических паров (MOCVD), тщательно разработанным для поддержки и нагрева полупроводниковых пластин на важном этапе осаждения эпитаксиального слоя. Этот лоток является неотъемлемой частью производства полупроводниковых приборов, где точность выращивания слоев имеет первостепенное значение. Мы в Semicorex занимаемся производством и поставкой высокопроизводительных SiC-вафельных лотков, которые сочетают в себе качество и экономическую эффективность.
Поднос Semicorex SiC Wafer Tray, выполняющий функцию ключевого элемента в аппарате MOCVD, удерживает и термически управляет монокристаллическими подложками. Его исключительные эксплуатационные характеристики, включая превосходную термическую стабильность и однородность, а также ингибирование коррозии и т. д., имеют решающее значение для высококачественного роста эпитаксиальных материалов. Эти свойства обеспечивают постоянную однородность и чистоту тонких слоев пленки.
Поднос для пластин SiC, усиленный покрытием SiC, значительно улучшает теплопроводность, способствуя быстрому и равномерному распределению тепла, что крайне важно для равномерного эпитаксиального роста. Способность лотка для пластин SiC эффективно поглощать и излучать тепло поддерживает стабильную и постоянную температуру, необходимую для точного осаждения тонких пленок. Такое равномерное распределение температуры имеет решающее значение для создания высококачественных эпитаксиальных слоев, которые необходимы для работы современных полупроводниковых устройств.
Надежная работа и долговечность вафельного лотка SiC сокращают частоту замен, сводя к минимуму время простоя и затраты на техническое обслуживание. Его прочная конструкция и превосходные эксплуатационные возможности повышают эффективность процесса, тем самым повышая производительность и экономическую эффективность в производстве полупроводников.
Кроме того, вафельный лоток Semicorex SiC демонстрирует превосходную стойкость к окислению и коррозии при высоких температурах, что дополнительно обеспечивает его долговечность и надежность. Его высокая термическая стойкость, характеризующаяся значительной температурой плавления, позволяет ему выдерживать строгие температурные условия, присущие процессам производства полупроводников.