Многокарманный приемник SiC

Основой многокарманного сусцептора Semicorex SiC является изотропный графит сверхвысокой чистоты, известный своей термической стабильностью и устойчивостью к тепловому удару. Этот базовый материал дополнительно улучшен за счет применения тщательно контролируемого покрытия SiC, нанесенного методом CVD. Эта комбинация обеспечивает уникальную синергию свойств:

Непревзойденная химическая стойкость:Поверхностный слой SiC демонстрирует исключительную стойкость к окислению, коррозии и химическому воздействию даже при повышенных температурах, присущих процессам эпитаксиального роста. Эта инертность гарантирует, что SiC Multi Pocket Susceptor сохраняет свою структурную целостность и качество поверхности, сводя к минимуму риск загрязнения и обеспечивая длительный срок службы.

Исключительная термическая стабильность и однородность:Присущая изотропному графиту стабильность в сочетании с однородным покрытием SiC гарантирует равномерное распределение тепла по поверхности токоприемника. Эта однородность имеет первостепенное значение для достижения однородных температурных профилей по всей пластине во время эпитаксии, что непосредственно приводит к превосходному росту кристаллов и однородности пленки.

Повышенная эффективность процесса:Надежность и долговечность SiC Multi Pocket Susceptor способствуют повышению эффективности процесса. Сокращение времени простоя для очистки или замены приводит к повышению производительности и снижению общей стоимости владения, что является решающим фактором в требовательных условиях производства полупроводников.

Превосходные свойства SiC Multi Pocket Susceptor напрямую приводят к ощутимым преимуществам при изготовлении эпитаксиальных пластин:

Улучшенное качество пластин:Повышенная однородность температуры и химическая инертность способствуют уменьшению дефектов и улучшению качества кристаллов в эпитаксиальном слое. Это напрямую приводит к повышению производительности и производительности конечных полупроводниковых устройств.

Повышенная производительность устройства:Возможность достижения точного контроля над профилями легирования и толщиной слоев во время эпитаксии имеет решающее значение для оптимизации производительности устройства. Стабильная и унифицированная платформа SiC Multi Pocket Susceptor позволяет производителям точно настраивать характеристики устройств для конкретных приложений.

Включение расширенных приложений:Поскольку полупроводниковая промышленность стремится к уменьшению геометрии устройств и более сложной архитектуре, спрос на высокопроизводительные эпитаксиальные пластины продолжает расти. Многокарманный сусцептор Semicorex SiC играет решающую роль в реализации этих достижений, предоставляя необходимую платформу для точного и воспроизводимого эпитаксиального роста.