Газораспределительная пластина SiC

В процессах эпитаксии полупроводников однородность потока газа является одним из наиболее важных факторов, влияющих на качество пленки, постоянство толщины и выход пластин. Газораспределительная пластина SiC, часто называемая душевой пластиной, специально разработана для равномерного распределения технологических газов по поверхности пластины, сохраняя при этом стабильность в экстремальных условиях процесса.

Газораспределительные пластины Semicorex SiC предназначены для высокотемпературных реакторов кремниевой эпитаксии, работающих при температуре выше 1400°C. Изготовлены с использованием подложек из изотропного графита высокой чистоты и защищены плотным слоем.Покрытие из карбида кремния методом химического осаждения из паровой фазы (CVD)Эти компоненты обеспечивают исключительную коррозионную стойкость, контроль загрязнения и долгосрочную надежность в сложных полупроводниковых средах.

Технология покрытия CVD SiC

Основное преимущество газораспределительной пластины SiC заключается в ее передовой технологии нанесения покрытия.

Слой карбида кремния высокой чистоты наносится на поверхность изотропного графита с помощью процесса химического осаждения из паровой фазы (CVD). Это покрытие образует плотный и однородный защитный барьер, который значительно улучшает работу компонентов в агрессивных технологических условиях.

К типичным характеристикам покрытия относятся:

Толщина покрытия: примерно 100 мкм

Регулируемый диапазон толщины: 40–200 мкм.

Высокая плотность покрытия

Отличная однородность толщины

Сильная адгезия к графитовой подложке.

Поверхность сверхвысокой чистоты

Слой CVD SiC эффективно изолирует графитовый основной материал от химически активных технологических газов, значительно улучшая коррозионную стойкость и срок службы.

Защита графитовой подложки

Графит широко используется в эпитаксионном оборудовании из-за его превосходных термических свойств и способности выдерживать экстремальные температуры. Однако незащищенный графит подвержен эрозии и химическому воздействию при длительном воздействии технологических газов.

По мере разложения графита могут образовываться частицы, загрязняющие пластины и отрицательно влияющие на производительность устройства.

Покрытие CVD SiC выполняет несколько защитных функций:

Предотвращает прямое воздействие на графит химически активных газов.

Уменьшает образование частиц

Повышает устойчивость к химическому травлению.

Продлевает срок службы компонентов

Поддерживает чистоту камеры

Эта защита становится все более важной в современном производстве полупроводников, где даже микроскопические загрязнения могут повлиять на качество продукции.

Точное производство и индивидуализация

Компания Semicorex производит газораспределительные пластины из карбида кремния, строго контролируя допуски на размеры, однородность покрытия и геометрию отверстий.

Варианты настройки включают в себя:

8-дюймовые реакторные платформы

12-дюймовые реакторные платформы

Нестандартные диаметры

Индивидуальные схемы отверстий

Конструкции газораспределения для конкретного применения

Требования к различной толщине покрытия

Специализированные особенности монтажа

Такая гибкость обеспечивает оптимизацию для различных архитектур реакторов и условий технологического процесса.

Приложения

Газораспределительные пластины SiC широко используются в:

• Системы кремниевой эпитаксии
• Полупроводниковые CVD-реакторы
• Оборудование для высокотемпературного осаждения
• Передовые системы обработки пластин
• Производство силовых полупроводников
• Производство сложных полупроводников

Их способность сочетать контроль потока газа с устойчивостью к загрязнениям делает их важнейшим компонентом в современном производстве полупроводников.