Изготовленный с высокой точностью и надежный, SiC Epitaxy Susceptor обладает высокой коррозионной стойкостью, высокой теплопроводностью, устойчивостью к тепловому удару и высокой химической стабильностью, что позволяет ему эффективно функционировать в эпитаксиальной атмосфере. Таким образом, SiC Epitaxy Susceptor считается основой и Важнейший компонент оборудования MOCVD. Semicorex стремится предоставлять качественную продукцию по конкурентоспособным ценам, и мы надеемся стать вашим долгосрочным партнером в Китае.
Эпитаксиальный токоприемник SiC является важнейшим компонентом, используемым в оборудовании MOCVD для поддержки и нагрева монокристаллических подложек. Его превосходные эксплуатационные параметры, такие как термическая стабильность и термическая однородность, играют решающую роль в качестве эпитаксиального роста материала, обеспечивая высокий уровень однородности и чистоты тонкопленочных материалов.
SiC Epitaxy Susceptor обладает превосходной плотностью, обеспечивая эффективную защиту при высоких температурах и агрессивных рабочих средах. Кроме того, высокий уровень плоскостности поверхности идеально соответствует требованиям выращивания монокристаллов на поверхности подложки.
Минимальная разница коэффициентов теплового расширения в SiC Epitaxy Susceptor значительно повышает прочность связи между эпитаксиальной подложкой и материалом покрытия, тем самым снижая вероятность растрескивания после высокотемпературного термоциклирования.
В то же время он обладает высокой теплопроводностью, что способствует быстрому и равномерному распределению тепла для роста стружки. Кроме того, его высокая температура плавления, термостойкость, стойкость к окислению и коррозионная стойкость обеспечивают стабильную работу в высокотемпературных и агрессивных рабочих средах.
Являясь важнейшим компонентом реакционной камеры оборудования MOCVD, эпитаксический токоприемник SiC должен обладать такими преимуществами, как устойчивость к высоким температурам, равномерная теплопроводность, хорошая химическая стабильность и высокая устойчивость к тепловому удару. Эпитаксия Susceptor Semicorex SiC отвечает всем этим требованиям.