Держатели пластин с покрытием SiC для MOCVD

Наши пластины-носители с покрытием SiC для MOCVD отличаются высокой чистотой, что делает их отличным выбором для тех, кто ищет носитель с высокой однородностью и стабильными свойствами.
Наши держатели пластин с покрытием SiC для MOCVD изготовлены из карбида кремния высокой чистоты на графите, что делает его очень устойчивым к окислению при высоких температурах до 1600°C. Процесс химического осаждения из паровой фазы, используемый при его производстве, обеспечивает высокую чистоту и отличную коррозионную стойкость. Он обладает высокой коррозионной стойкостью, имеет плотную поверхность и мелкие частицы, что делает его устойчивым к воздействию кислот, щелочей, солей и органических реагентов. Его стойкость к высокотемпературному окислению обеспечивает стабильность при высоких температурах до 1600°C.

Параметры пластин-носителей с покрытием SiC для MOCVD

Особенности графитового токоприемника с покрытием SiC для MOCVD

- Избегайте отслаивания и обеспечьте покрытие на всей поверхности.
Устойчивость к высокотемпературному окислению: Стабилен при высоких температурах до 1600°C.
Высокая чистота: получено методом химического осаждения из паровой фазы CVD в условиях высокотемпературного хлорирования.
Коррозионная стойкость: высокая твердость, плотная поверхность и мелкие частицы.
Коррозионная стойкость: кислоты, щелочи, соли и органические реагенты.
- Достижение наилучшего ламинарного режима потока газа
- Гарантия равномерности теплового профиля
- Предотвратить любое загрязнение или диффузию примесей.