Токоприемники Semicorex с графитовым основанием с покрытием SiC для MOCVD представляют собой носители высшего качества, используемые в полупроводниковой промышленности. Наш продукт разработан с использованием высококачественного карбида кремния, который обеспечивает превосходную производительность и долговечность. Этот носитель идеально подходит для использования в процессе выращивания эпитаксиального слоя на кристалле пластины.
Наши токоприемники с графитовым основанием с покрытием SiC для MOCVD обладают высокой термостойкостью и коррозионной стойкостью, что обеспечивает высокую стабильность даже в экстремальных условиях.
Характеристики этого токоприемника с графитовым основанием с покрытием SiC для MOCVD выдающиеся. Он изготовлен с покрытием из высокочистого карбида кремния на графите, что придает ему высокую стойкость к окислению при высоких температурах до 1600°С. Процесс химического осаждения из паровой фазы CVD, используемый при его производстве, обеспечивает высокую чистоту и превосходную коррозионную стойкость. Поверхность носителя плотная, с мелкими частицами, повышающими его коррозионную стойкость, делая его устойчивым к действию кислот, щелочей, солей и органических реагентов.
Наши токоприемники с графитовым основанием с покрытием SiC для MOCVD обеспечивают равномерный тепловой профиль, гарантируя наилучшую ламинарную схему газового потока. Он предотвращает проникновение любых загрязнений или примесей в пластину, что делает ее идеальной для использования в чистых помещениях. Semicorex является крупным производителем и поставщиком графитовых токоприемников с покрытием SiC в Китае, и наша продукция имеет хорошее ценовое преимущество. Мы надеемся стать вашим долгосрочным партнером в полупроводниковой промышленности.
Параметры токоприемников на графитовой основе с покрытием SiC для MOCVD
Основные характеристики покрытия CVD-SIC |
||
SiC-ХОПФ свойства |
||
Кристальная структура |
Фаза FCC β |
|
Плотность |
г/см³ |
3.21 |
твердость |
твердость по Виккерсу |
2500 |
Размер зерна |
μ м |
2~10 |
Химическая чистота |
% |
99.99995 |
Теплоемкость |
Дж·кг-1 ·К-1 |
640 |
Температура сублимации |
℃ |
2700 |
Фелексурная сила |
МПа (4-балльная КТ) |
415 |
Модуль Юнга |
ГПа (изгиб 4pt, 1300°C) |
430 |
Тепловое расширение (КТР) |
10-6К-1 |
4.5 |
Теплопроводность |
(Вт/мК) |
300 |
Особенности графитового токоприемника с покрытием SiC для MOCVD
- Избегайте отслаивания и обеспечьте покрытие на всей поверхности
Стойкость к высокотемпературному окислению: стабильна при высоких температурах до 1600°C.
Высокая чистота: получено химическим осаждением из паровой фазы CVD в условиях высокотемпературного хлорирования.
Коррозионная стойкость: высокая твердость, плотная поверхность и мелкие частицы.
Коррозионная стойкость: кислота, щелочь, соль и органические реагенты.
- Достичь наилучшего ламинарного потока газа
- Гарантия ровности теплового профиля
- Предотвратить любое загрязнение или диффузию примесей