Датчики Semicorex на основе графита с покрытием из карбида кремния для MOCVD представляют собой носители высшего качества, используемые в полупроводниковой промышленности. Наш продукт изготовлен из высококачественного карбида кремния, который обеспечивает отличную производительность и долговечность. Этот носитель идеально подходит для использования в процессе выращивания эпитаксиального слоя на пластине-чипе.
Наши токоприемники на основе графита с покрытием SiC для MOCVD обладают высокой термо- и коррозионной стойкостью, что обеспечивает высокую стабильность даже в экстремальных условиях.
Характеристики этих токоприемников на основе графита с покрытием SiC для MOCVD выдающиеся. Он изготовлен с покрытием из карбида кремния высокой чистоты на графите, что делает его очень устойчивым к окислению при высоких температурах до 1600°C. Процесс химического осаждения из паровой фазы, используемый при его производстве, обеспечивает высокую чистоту и отличную коррозионную стойкость. Поверхность носителя плотная, с мелкими частицами, повышающими его коррозионную стойкость, что делает его устойчивым к воздействию кислот, щелочей, солей и органических реагентов.
Наши токоприемники с графитовым основанием из карбида кремния для MOCVD обеспечивают равномерный тепловой профиль, гарантируя наилучшую ламинарную структуру потока газа. Он предотвращает диффузию любых загрязнений или примесей в пластину, что делает ее идеальной для использования в чистых помещениях. Semicorex является крупным производителем и поставщиком графитовых токоприемников с покрытием SiC в Китае, и наша продукция имеет хорошее ценовое преимущество. Мы с нетерпением ждем возможности стать вашим долгосрочным партнером в полупроводниковой промышленности.
Параметры токоприемников на основе графита с покрытием SiC для MOCVD
Основные характеристики покрытия CVD-SIC |
||
Свойства SiC-CVD |
||
Кристаллическая структура |
FCC β-фаза |
|
Плотность |
г/см³ |
3.21 |
Твердость |
Твердость по Виккерсу |
2500 |
Размер зерна |
мкм |
2~10 |
Химическая чистота |
% |
99.99995 |
Теплоемкость |
Дж кг-1 К-1 |
640 |
Температура сублимации |
℃ |
2700 |
Фелексуральная сила |
МПа (RT 4-точечный) |
415 |
Модуль Юнга |
Gpa (изгиб 4 пт, 1300 ℃) |
430 |
Тепловое расширение (CTE) |
10-6К-1 |
4.5 |
Теплопроводность |
(Вт/мК) |
300 |
Особенности графитового токоприемника с покрытием SiC для MOCVD
- Избегайте отслаивания и обеспечьте покрытие на всей поверхности.
Устойчивость к высокотемпературному окислению: Стабилен при высоких температурах до 1600°C.
Высокая чистота: получено методом химического осаждения из паровой фазы CVD в условиях высокотемпературного хлорирования.
Коррозионная стойкость: высокая твердость, плотная поверхность и мелкие частицы.
Коррозионная стойкость: кислоты, щелочи, соли и органические реагенты.
- Достижение наилучшего ламинарного режима потока газа
- Гарантия равномерности теплового профиля
- Предотвратить любое загрязнение или диффузию примесей.