Эпитаксиальный диск с карбидом кремния

Эпитаксиальный диск Semicorex с SiC-покрытием обладает рядом беспрецедентных преимуществ в полупроводниковой промышленности, которые можно уточнить следующим образом:

Низкий коэффициент теплового расширения: Эпитаксиальный диск с покрытием SiC имеет особенно низкий коэффициент теплового расширения, что имеет решающее значение при обработке полупроводников, где важна стабильность размеров. Этот атрибут гарантирует, что эпитактический диск с покрытием SiC подвергается минимальному расширению или сжатию при изменениях температуры, сохраняя целостность полупроводниковой структуры во время высокотемпературных процессов.

Устойчивость к высокотемпературному окислению: этот эпитактический диск с покрытием SiC, обладающий замечательной стойкостью к окислению, сохраняет свою структурную целостность при повышенных температурах, что делает его идеальным компонентом для применения в высокотемпературных полупроводниковых процессах, где термическая стабильность имеет решающее значение.

Плотная и мелкопористая поверхность: поверхность эпитаксии с покрытием SiC характеризуется плотностью и мелкой пористостью, что обеспечивает оптимальную текстуру поверхности для приклеивания различных покрытий и обеспечивает эффективное удаление материала во время обработки полупроводниковых пластин без повреждения деликатной поверхности.

Высокая твердость: покрытие придает графитовому диску высокий уровень твердости, который устойчив к царапинам и износу, что продлевает срок службы эпитаксического диска с покрытием SiC и снижает частоту замены в условиях производства полупроводников.

Устойчивость к кислотам, основаниям, солям и органическим реагентам: CVD-покрытие SiC эпитаксиального диска с покрытием SiC обеспечивает превосходную стойкость к широкому спектру коррозионных агентов, включая кислоты, основания, соли и органические реагенты, что делает его пригодным для использования в средах, где Химическое воздействие является проблемой, что повышает надежность и долговечность оборудования.

Поверхностный слой бета-SiC. Поверхностный слой SIC (карбида кремния) эпитаксионного диска с покрытием SiC состоит из бета-SiC, который имеет гранецентрированную кубическую (FCC) кристаллическую структуру. Эта кристаллическая структура способствует исключительным механическим и термическим свойствам покрытия, обеспечивая превосходную прочность и теплопроводность диска, что крайне важно для оборудования для обработки полупроводников.