Цилиндрический токоприемник с покрытием SiC для эпитаксиального роста

Семикорекс с карбидно-кремниевым покрытием для эпитаксиального выращивания является идеальным выбором для формирования эпиксиального слоя на полупроводниковых пластинах благодаря его превосходным свойствам теплопроводности и распределения тепла. Его покрытие из карбида кремния обеспечивает превосходную защиту даже в самых требовательных высокотемпературных и агрессивных средах.

В Semicorex мы сосредоточены на предоставлении высококачественной и экономически эффективной продукции для наших клиентов. Наш цилиндрический токоприемник с покрытием SiC для эпитаксиального выращивания имеет ценовое преимущество и экспортируется на многие европейские и американские рынки. Мы стремимся быть вашим долгосрочным партнером, поставляя неизменно качественную продукцию и исключительное обслуживание клиентов.

Параметры цилиндрического токоприемника с покрытием SiC для эпитаксиального роста

Характеристики цилиндрического токоприемника с покрытием SiC для эпитаксиального роста

- Как графитовая подложка, так и слой карбида кремния имеют хорошую плотность и могут играть хорошую защитную роль в условиях высоких температур и агрессивных рабочих сред.

- Токоприемник с покрытием из карбида кремния, используемый для выращивания монокристаллов, имеет очень высокую плоскостность поверхности.

- Уменьшите разницу в коэффициенте теплового расширения между графитовой подложкой и слоем карбида кремния, эффективно улучшите прочность сцепления, чтобы предотвратить растрескивание и расслоение.

- Как графитовая подложка, так и слой карбида кремния обладают высокой теплопроводностью и отличными свойствами распределения тепла.

- Высокая температура плавления, стойкость к высокотемпературному окислению, коррозионная стойкость.