Стволовый токоприемник с покрытием из карбида кремния для эпитаксиального выращивания

Стволовый токоприемник Semicorex с SiC-покрытием для эпитаксиального выращивания является идеальным выбором для формирования эпиксиального слоя на полупроводниковых пластинах благодаря своей превосходной теплопроводности и свойствам распределения тепла. Покрытие из карбида кремния обеспечивает превосходную защиту даже в самых требовательных высокотемпературных и агрессивных средах.

В Semicorex мы уделяем особое внимание предоставлению нашим клиентам высококачественной и экономически эффективной продукции. Наш цилиндрический токоприемник с покрытием из карбида кремния для эпитаксиального роста имеет ценовое преимущество и экспортируется на многие рынки Европы и Америки. Мы стремимся стать вашим долгосрочным партнером, поставляя продукцию стабильного качества и обеспечивая исключительное обслуживание клиентов.

Параметры цилиндрического токоприемника с покрытием из SiC для эпитаксиального роста

Особенности цилиндрического токоприемника с покрытием из карбида кремния для эпитаксиального роста

- И графитовая подложка, и слой карбида кремния имеют хорошую плотность и могут играть хорошую защитную роль в условиях высоких температур и агрессивных рабочих сред.

- Токоприемник с покрытием из карбида кремния, используемый для выращивания монокристаллов, имеет очень высокую плоскостность поверхности.

- Уменьшите разницу в коэффициенте теплового расширения между графитовой подложкой и слоем карбида кремния, эффективно улучшите прочность соединения, чтобы предотвратить растрескивание и расслоение.

- И графитовая подложка, и слой карбида кремния обладают высокой теплопроводностью и отличными свойствами распределения тепла.

- Высокая температура плавления, стойкость к высокотемпературному окислению, коррозионная стойкость.