Пористый графит Semicorex с покрытием TaC — это специализированный материал, разработанный для решения критических задач при выращивании кристаллов карбида кремния (SiC). Semicorex стремится предоставлять качественную продукцию по конкурентоспособным ценам, и мы надеемся стать вашим долгосрочным партнером в Китае*.
Пористый графит Semicorex с покрытием TaC сочетает в себе уникальные свойства пористого графита с защитными и улучшающими свойствами покрытия TaC, предлагая значительные улучшения по сравнению с традиционными материалами, используемыми в высокотемпературных тиглях.
Графит и пористый графит, широко используемые из-за своей термической стабильности и электропроводности, представляют собой серьезные проблемы в высокотемпературных средах. Пористый графит, в частности, предпочтителен из-за его высокой проницаемости, которая обеспечивает лучший поток газа и равномерное распределение температуры. Однако его высокая пористость делает его механически слабым, что приводит к трудностям при механической обработке и точном формировании материала. Кроме того, пористая структура может привести к выпадению частиц, которые загрязняют кристаллы SiC. Пористый графит также подвержен химическому травлению и разрушению под воздействием высоких температур и реактивных сред, что нарушает целостность тигля. Аналогичным образом, хотя порошки карбида тантала (TaC) часто используются для покрытия или смешивания с графитом для улучшения его свойств, их равномерное нанесение и адгезия могут быть затруднены, что приводит к неровным поверхностям и потенциальному загрязнению.
Пористый графит с покрытием TaC эффективно решает вышеуказанные проблемы, объединяя лучшие свойства обоих материалов:
Повышенная механическая прочность: покрытие TaC значительно увеличивает механическую прочность пористого графита, что упрощает обработку и формование пористого графита с покрытием TaC без ущерба для структурной целостности материала.
Уменьшение высыпания частиц: покрытие TaC образует защитный слой поверх пористого графита, снижая вероятность высыпания частиц и загрязнения кристаллов SiC.
Улучшенная химическая стойкость: TaC обладает высокой устойчивостью к химическому травлению и разрушению, обеспечивая прочный барьер, защищающий пористый графит от химически активных газов и высокотемпературных сред.
Термическая стабильность и проводимость. И графит, и TaC обладают превосходной термической стабильностью и проводимостью. Сочетание пористого графита с покрытием TaC гарантирует, что тигель поддерживает равномерное распределение температуры, что имеет решающее значение для бездефектного роста кристаллов SiC.
Оптимизированная проницаемость: присущая графиту пористость обеспечивает эффективный поток газа и управление температурой, а покрытие TaC обеспечивает поддержание этой проницаемости без ущерба для целостности материала.
Пористый графит Semicorex с покрытием TaC представляет собой значительный прогресс в области материалов, используемых для выращивания кристаллов SiC. Решая механические, химические и термические проблемы, связанные с традиционными порошками графита и TaC, пористый графит с покрытием TaC обеспечивает более высокое качество кристаллов SiC с меньшим количеством дефектов. Сочетание проницаемости пористого графита и защитных свойств TaC предлагает надежное решение для высокотемпературных применений, что делает его незаменимым материалом в производстве современных полупроводников и электронных устройств.