Новости - Semicorex Advanced Material Technology Co., Ltd

Дислокации в кристаллах SiC

Подложка SiC может иметь микроскопические дефекты, такие как дислокация резьбового винта (TSD), дислокация края резьбы (TED), дислокация базовой плоскости (BPD) и другие. Эти дефекты вызваны отклонениями в расположении атомов на атомном уровне.

О дефектах кристаллов SiC - Micropipe

Подложка SiC может иметь микроскопические дефекты, такие как дислокация резьбового винта (TSD), дислокация края резьбы (TED), дислокация базовой плоскости (BPD) и другие. Эти дефекты вызваны отклонениями в расположении атомов на атомном уровне. Кристаллы SiC также могут иметь макроскопические дислок......

Почему стоит выбрать метод жидкофазной эпитаксии?

По сравнению с методом PVT жидкофазный метод выращивания SiC имеет следующие преимущества:

Что такое жидкофазная эпитаксия?

Жидкофазный метод ближе к условиям термодинамического равновесия и позволяет выращивать кристаллы SiC лучшего качества.

TaC-покрытие

Согласно результатам исследований, покрытие TaC может действовать как защитный и изолирующий слой, продлевая срок службы графитовых компонентов, улучшая радиальную однородность температуры, поддерживая стехиометрию сублимации SiC, подавляя миграцию примесей и снижая потребление энергии. В конечном и......

Что такое CVD-процесс в полупроводниках?

Химическое осаждение из паровой фазы CVD означает введение двух или более газообразных сырьевых материалов в реакционную камеру в условиях вакуума и высокой температуры, где газообразное сырье реагирует друг с другом с образованием нового материала, который осаждается на поверхность пластины.