Основные этапы обработки подложки SiC

Обработка 4H-Подложка SiCв основном включает в себя следующие этапы:

1. Ориентация кристаллической плоскости: используйте метод дифракции рентгеновских лучей для ориентации кристаллического слитка. Когда пучок рентгеновских лучей падает на плоскость кристалла, которую необходимо сориентировать, направление плоскости кристалла определяется углом дифрагированного луча.

2. Цилиндрическая галтовка. Диаметр монокристалла, выращенного в графитовом тигле, больше стандартного размера, а диаметр уменьшается до стандартного размера за счет цилиндрической галтовки.

3. Торцевое шлифование. 4-дюймовая подложка из 4H-SiC обычно имеет две позиционирующие кромки: основную позиционирующую кромку и вспомогательную позиционирующую кромку. Позиционирующие кромки стачиваются через торцевую поверхность.

4. Резка проволоки. Резка проволоки — важный процесс при обработке подложек 4H-SiC. Трещины и остаточные повреждения подповерхностных слоев, возникшие в процессе резки проволокой, окажут неблагоприятное влияние на последующий процесс. С одной стороны, это продлит время последующего процесса, а с другой – приведет к потере самой пластины. В настоящее время наиболее часто используемым процессом резки проволокой из карбида кремния является возвратно-поступательная абразивная резка несколькими проволоками с алмазной связкой.Слиток 4H-SiCв основном режется возвратно-поступательным движением металлической проволоки, связанной алмазным абразивом. Толщина пластины, вырезанной проволокой, составляет около 500 мкм, на поверхности пластины имеется большое количество царапин и глубоких подповерхностных повреждений.

5. Снятие фасок: чтобы предотвратить сколы и растрескивание края пластины во время последующей обработки, а также уменьшить потерю шлифовальных подушечек, полировальных подушечек и т. д. в последующих процессах, необходимо шлифовать острые края пластины после проволоки. разрезание Укажите форму.

6. Утончение. Процесс резки слитков 4H-SiC проволокой оставляет на поверхности пластины большое количество царапин и подповерхностных повреждений. Для филировки используются алмазные шлифовальные круги. Основная цель – максимально удалить эти царапины и повреждения.

7. Шлифование. Процесс шлифования делится на грубое и тонкое шлифование. Конкретный процесс аналогичен процессу истончения, но используются карбид бора или алмазные абразивы с меньшим размером частиц, а скорость удаления ниже. В основном он удаляет частицы, которые невозможно удалить в процессе разбавления. Травмы и вновь возникшие травмы.

8. Полировка. Полировка является последним этапом обработки подложки 4H-SiC и также делится на грубую и тонкую полировку. На поверхности пластины образуется мягкий оксидный слой под действием полировальной жидкости, а оксидный слой удаляется под механическим воздействием абразивных частиц оксида алюминия или оксида кремния. После завершения этого процесса на поверхности подложки практически не остается царапин и подповерхностных повреждений, а шероховатость поверхности чрезвычайно низкая. Это ключевой процесс для получения сверхгладкой и неповреждаемой поверхности подложки 4H-SiC.

9. Очистка: Удалите частицы, металлы, оксидные пленки, органические вещества и другие загрязняющие вещества, оставшиеся в процессе обработки.