Технология эпитаксии пластин карбида кремния

Карбид кремнияобычно используется метод PVT с температурой более 2000 градусов, длительным циклом обработки и низкой производительностью, поэтому стоимость подложек из карбида кремния очень высока. Эпитаксиальный процесс карбида кремния в основном такой же, как и у кремния, за исключением температурного расчета и конструкции оборудования. С точки зрения подготовки устройства из-за особенностей материала процесс устройства отличается от кремния тем, что в нем используются высокотемпературные процессы, включая высокотемпературную ионную имплантацию, высокотемпературное окисление и процессы высокотемпературного отжига.

Если вы хотите максимизировать характеристикиКарбид кремнияСамо по себе наиболее идеальным решением является выращивание эпитаксиального слоя на подложке из монокристалла карбида кремния. Эпитаксиальная пластина карбида кремния — это пластина карбида кремния, на которой на подложке из карбида кремния выращивается монокристаллическая тонкая пленка (эпитаксиальный слой) с определенными требованиями и тот же кристалл, что и подложка.

На рынке основного оборудования присутствуют четыре крупные компании.Эпитаксиальные материалы карбида кремния:

[1]Экстронв Германии: характеризуется относительно большими производственными мощностями;

[2]ЛПЭв Италии — однокристальный микрокомпьютер с очень высокими темпами роста;

[3]ТЕЛ.иНуфлерв Японии, оборудование которой очень дорогое, а во-вторых, двухполостное, что определенным образом влияет на увеличение производства. Среди них Nuflare — весьма необычное устройство, выпущенное в последние годы. Он может вращаться с высокой скоростью, до 1000 оборотов в минуту, что очень способствует равномерности эпитаксии. В то же время направление воздушного потока у него отличается от направления воздушного потока другого оборудования, которое направлено вертикально вниз, что позволяет избежать образования некоторых частиц и снизить вероятность попадания капель на пластину.

С точки зрения уровня применения терминалов, материалы из карбида кремния имеют широкий спектр применений в высокоскоростных железных дорогах, автомобильной электронике, интеллектуальных сетях, фотоэлектрических инверторах, промышленной электромеханике, центрах обработки данных, бытовой технике, бытовой электронике, связи 5G и т. д. Дисплей поколения и другие области, а потенциал рынка огромен.

Semicorex предлагает высококачественныеДетали с CVD-покрытием SiCдля эпитаксиального роста SiC. Если у вас есть какие-либо вопросы или вам нужна дополнительная информация, пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нам.

Контактный телефон +86-13567891907.

Электронная почта: sales@semicorex.com