Процесс эпитаксиальной пластины является важным методом, используемым в производстве полупроводников. Он включает в себя выращивание тонкого слоя кристаллического материала поверх подложки, которая имеет ту же кристаллическую структуру и ориентацию, что и подложка. Этот процесс создает высококачеств......
Читать далееЭпитаксия карбидом кремния (SiC) является ключевой технологией в области полупроводников, особенно для разработки мощных электронных устройств. SiC представляет собой составной полупроводник с широкой запрещенной зоной, что делает его идеальным для приложений, требующих работы при высоких температур......
Читать далееПолупроводники — это материалы, которые определяют электрические свойства между проводниками и изоляторами с равной вероятностью потери и приобретения электронов в самом внешнем слое атомного ядра и легко превращаются в PN-переходы. Такие как «кремний (Si)», «германий (Ge)» и другие материалы.
Читать далее