Зная MOCVD

MOCVD — это новая технология эпитаксиального роста из паровой фазы, разработанная на основе эпитаксиального роста из паровой фазы (VPE). В качестве исходных материалов для выращивания кристаллов в MOCVD используются органические соединения элементов III и II, а также гидриды элементов V и VI. Он выполняет парофазную эпитаксию на подложке посредством реакции термического разложения для выращивания различных основных групп III-V, тонкослойных монокристаллических материалов полупроводниковых соединений подгрупп II-VI и их многоэлементных твердых растворов. Обычно рост кристаллов в системе MOCVD проводится в кварцевой реакционной камере с холодными стенками и потоком H2 при нормальном или низком давлении (10-100 Торр). Температура подложки составляет 500-1200°C, графитовая основа нагревается постоянным током (подложка находится поверх графитовой основы), а H2 барботируется через источник жидкости с контролируемой температурой для переноса металлоорганических соединений к зона роста.

MOCVD имеет широкий спектр применения и позволяет выращивать практически все соединения и полупроводниковые сплавы. Он очень подходит для выращивания различных гетероструктурных материалов. Он также может выращивать ультратонкие эпитаксиальные слои и получать очень крутые межфазные переходы. Рост легко контролировать, и его можно выращивать с очень высокой чистотой. Высококачественные материалы, эпитаксиальный слой имеет хорошую однородность на большой площади и может производиться в больших масштабах.

Semicorex предлагает высококачественныеCVD-покрытие SiCграфитовые детали. Если у вас есть какие-либо вопросы или вам нужна дополнительная информация, пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нам.

Контактный телефон +86-13567891907.

Электронная почта: sales@semicorex.com