Поскольку технологические узлы продолжают сокращаться, формирование сверхмелких соединений представляет собой серьезную проблему. Процессы термического отжига, в том числе быстрый термический отжиг (RTA) и отжиг импульсной лампой (FLA), являются жизненно важными методами, которые поддерживают высоку......
Читать далееВ производстве полупроводников точность и стабильность процесса травления имеют первостепенное значение. Одним из важнейших факторов достижения высококачественного травления является обеспечение идеально ровного положения пластин на лотке во время процесса. Любое отклонение может привести к неравном......
Читать далееПроцесс осаждения тонких пленок полупроводников является важным компонентом современной технологии микроэлектроники. Он предполагает создание сложных интегральных схем путем нанесения одного или нескольких тонких слоев материала на полупроводниковую подложку.
Читать далееКарбид кремния (SiC) — это полупроводниковый материал с широкой запрещенной зоной, который в последние годы привлек к себе значительное внимание благодаря своим исключительным характеристикам в приложениях с высоким напряжением и высокими температурами. В этом исследовании систематически изучаются р......
Читать далее